半导体装置,半导体装置之制造方法及电浆CVD用气体

摘要

本发明为关于具备由经过420℃以下热履历之氟化碳膜所构成之绝缘膜的半导体装置。本发明之特征为该氟化碳膜中之氢原子含量于经过该热履历前，为3原子％以下。