| 摘要 |
本发明说明使用直立排列之奈米结构物件之机电开关与记忆体单元及其制造方法。一机电装置包含一具有一主水平表面以及一形成于其中之通道之构造。一导电线路系位于该通道中；以及一奈米管物件系直立悬浮于该通道中并与该通道之一直立壁面呈隔开关系。该物件系在一朝向该导电线路之水平方向可机电偏移。在某些实施例之下，该奈米管物件之该直立悬浮范围系由一薄膜制程所界定。在某些实施例之下，该奈米管物件之该直立悬浮范围系大约50毫微米或更小。在某些实施例之下，该奈米管物件系利用一配置于该奈米管物件之某些奈米管之间的多孔性空间中的导电材料来箝制。在某些实施例之下，奈米管物件系由一多孔性奈米结构所形成。在某些实施例之下，该奈米管物件系可机电偏移成与该导电线路接触，而依据该装置构造，该接触系为一挥发性状态或非挥发性状态。在某些实施例之下，该直立配向装置系被排列成各种形式之三线装置。在某些实施例之下，该通道可供多数独立装置，或供共用一共同电极之装置使用。 |
