具有基材杂讯阻障之互补式金氧半导体(CMOS)图像感应器

摘要

一种图像感应器元件，其包括一垂直溢流汲极结构以消除造成CMOS(互补式金氧半导体)影像感应器杂讯之基材电荷扩散。其并利用一额外的化学机械研磨步骤以缩短该微透镜至矽表面之距离，以减少光学相互干扰(optical cross talking)。一具体实施例系使用具有P-磊晶层之N型基材材料来形成一垂直溢流汲极(overflow drain)。深P井植入被导入标准互补式金氧半导体制程中，以防止在N井至N型基材间之闭锁。一光二极体系藉由堆叠N井／深N井及堆叠P井／深P井以增进效能而实现。