发明名称 在铜层上方形成上盖层之方法及铜内连线之形成方法
摘要 本发明揭示一种在铜层上方形成上盖层之方法。在一基底上沉积一铜层。接着,对铜层表面实施含氢电浆处理以去除形成于其上的铜氧化物,藉以抑制铜凸起物(hillock)之形成。之后,再对铜层表面实施含氮电浆处理以改善铜层表面之附着性。最后,在铜层上方形成一上盖绝缘层。
申请公布号 TW200511911 申请公布日期 2005.03.16
申请号 TW093103159 申请日期 2004.02.11
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 郑义荣;王英郎;陈韦立
分类号 H05K3/00 主分类号 H05K3/00
代理机构 代理人 洪澄文;颜锦顺
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号