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发明名称
记忆元件以及位元线与互补位元线之电压准位的放大方法
摘要
当选择与一位元线连接的第一记忆单元时,位元感应放大器将利用第一电流路径以及第二电流路径把位元线以及互补位元线的电压准位放大,其中,第一电流路径系响应互补位元线以及第一定址讯号的电压准位,而形成于感应致能单元的输出点与位元线之间,而第二电流路径系响应位元线以及第二定址讯号的电压准位,而形成于感应致能单元的输出点与互补位元线之间。
申请公布号
TW200511309
申请公布日期
2005.03.16
申请号
TW093120941
申请日期
2004.07.14
申请人
三星电子股份有限公司
发明人
李炳宰;金奎泓
分类号
G11C11/00
主分类号
G11C11/00
代理机构
代理人
詹铭文;萧锡清
主权项
地址
韩国
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