动态随机存取记忆体单元阵列及其制造方法

摘要

一种动态随机存取记忆体单元阵列，包含有至少两对闸极导线，系互相平行且沿一第一方向延伸，其中每一对闸极导线包含有一第一、第二闸极导线。一对位元线系沿一第二方向延伸且与该对闸极导线交错。一第一有效区域系沿该第一方向跨越该第一闸极导线对，且形成于该第一位元线上，一第二有效区域系沿该第一方向跨越该第二闸极导线对，且形成于该第二位元线上。每一个有效区域中包含有：一第一、第二深渠沟，系分别形成于该第一、第二闸极导线下方；一位元线接触，系形成于该第一、第二闸极导线之间，且与上方对应之该位元线形成电性连接；一共用源／汲极区域，系形成于该第一、第二闸极导线之间，且与该位元线接触形成电性连接；一第一垂直电晶体，系形成于该第一深渠沟之上方，且包含有一第一埋入带扩散区域形成于该第一深渠沟之一侧壁上；一第二垂直电晶体，系形成于该第二深渠沟之上方，且包含有一第二埋入带扩散区域形成于该第二深渠沟之一侧壁上。