多结构矽鳍及其制造方法

摘要

本发明揭示一种用于FinFET装置之半导体鳍结构，其并入一上方区域及一下方区域，其中上方区域是以实质上垂直侧壁形成，及下方区域是以倾斜侧壁形成以产生一较宽底部部分。揭示之半导体鳍结构一般亦包括一水平阶状部分，位于上方区域及下方区域间之介面。也揭示一系列制造半导体装置之方法，装置并入具有此双重结构之半导体鳍，及并入绝缘材料之各种组合，材料例如二氧化矽及／或氮化矽，用以在相邻半导体鳍之间形成浅渠沟隔离(STI)结构。