静电放电保护装置之电晶体制造方法

摘要

本发明系提出一种静电放电保护装置之电晶体制造方法，其系在一半导体基底上形成有基本元件；接着以一图案化光阻层为罩幕对露出之汲极区域进行离子植入，以便将掺质植入至汲极下方之基底中而形成一延伸的汲极重掺质区域；然后去除图案化光阻层，并进行热回火制程；最后，在多晶矽闸极与重离子掺杂区表面形成一自行对准金属矽化物。本发明系利用延伸的汲极重掺质区域作为汲极接触与多晶矽接面之间的电阻缓冲区，使静电放电产生之高电流能够有一较均匀的方式排解，以避免静电放电结构被破坏。