作为静电放电保护之矽控整流器的制造方法

摘要

本发明系揭露一种作为静电放电保护之矽控整流器的制造方法，其系以高电压离子植入方式于第一导电型掺杂井及第二导电型掺杂井内分别植入一相对高掺质浓度的同型离子，以形成第一埋入式掺杂区与第二埋入式掺杂区，使得完成后之矽控整流器可以快速打开；且妥善控制埋入式掺杂区的浓度以控制接面崩溃电压，并藉此达到控制静电放电之触发电压。