| 发明名称 | 电路装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种电路装置的制造方法，使用通过绝缘树脂(2)使第一导电膜(3)和第二导电膜(4)贴合的绝缘树脂片，用第一导电膜(3)形成第一导电配线层(5)，用第二导电膜(4)形成第二导电配线层(6)，使两者用多层连接部件(12)连接。将半导体元件(7)固定在覆盖第一导电配线层(5)的涂层树脂(8)上，借此用第一导电配线层(5)和第二导电配线层(6)实现多层配线构造，并且由于使形成厚的第二导电膜(4)在模塑后通过蚀刻减薄，而使第二导电配线层(6)也微细图形化。本发明解决了在制造工序中的绝缘树脂片的翘起严重的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN1193417C | 申请公布日期 | 2005.03.16 |
| 申请号 | CN02123158.3 | 申请日期 | 2002.06.19 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 五十岚优助;坂本则明;小林义幸;中村岳史 |
| 分类号 | H01L21/60;H01L21/48;H05K3/00 | 主分类号 | H01L21/60 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 杨梧;马高平 |
| 主权项 | 1.一种电路装置的制造方法，其特征在于，包括：准备用绝缘树脂粘接导电材料构成的第一导电膜和导电材料构成的第二导电膜的绝缘树脂片的工序；在上述绝缘树脂片的上述第一导电膜和上述绝缘树脂上形成贯通孔，以使上述第二导电膜的里面选择地露出的工序；在上述贯通孔中形成多层连接部件，并使第一导电膜和第二导电膜电连接的工序；通过把上述第一导电膜蚀刻形成第一导电配线层的工序；在上述第一导电配线层上电绝缘地固定半导体元件的工序；用密封树脂层被覆上述第一导电配线层和上述半导体元件的工序；在为了使上述第二导电膜全面减薄而蚀刻上述第二导电膜后，蚀刻形成第二导电配线层的工序；在上述第二导电配线层上形成外部电极的工序。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||