| 发明名称 | 三维立体掩膜 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种三维立体掩膜，通过增加掩膜上边界图案周缘的不透光层的厚度，增加入射光通过边界图案的路径长度，改善通过边界图案的入射光的光相干性，借此降低因为光干涉所造成的光学邻近效应，减少曝出的边界图案发生变形或是聚焦深度不足的问题，使三维立体掩膜能够曝出良好的图形。 | ||
| 申请公布号 | CN1595294A | 申请公布日期 | 2005.03.16 |
| 申请号 | CN200410080758.7 | 申请日期 | 2001.07.26 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 洪齐元 |
| 分类号 | G03F7/00;H01L21/027 | 主分类号 | G03F7/00 |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 赵蓉民 |
| 主权项 | 1.一种三维立体掩膜，包括：一基底透光层；一不透光层，位于该基底透光层上，该不透光层具有一开口图案，且该开口图案中具有一边缘开口；以及一准直突起，位于该边缘开口的周缘的不透光层上。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市 | ||