非晶碳膜/n型硅双向电压诱导开关

摘要

本发明公开了属于电学量传感器的一种用PLD方法制备的非晶碳膜/n型硅双向电压诱导开关。在n型Si(100)基片上，用石墨冷压靶材，在3－5Pa氩气条件下，利用PLD方法在室温下沉积得非晶碳膜/n型硅，在非晶碳膜上焊接两个电极，并连接一个电压触发器后就构成制成了一个简单的电压诱导开关。薄膜厚度约为：30－120nm。任意确定温度条件下，该非晶碳膜/n型硅双向电压诱导开关具有正反双向电压诱导开关功能，(即外加电压达到一定数值后，电流突然急速增加)并且正向，反向诱导电压大小不同。随着温度的升高开关的诱导电压而下降。该开关在温度为310K时、正向，反向诱导电压大小只有0.0138伏和－0.0041伏，适合用于微电子器件。

主权项

1.一种非晶碳膜/n型硅双向电压诱导开关，其特征在于：在n型Si(100)基片上，用纯度为99.99％的石墨粉靶在真空镀膜室中，用PLD方法沉积一层非晶碳薄膜，电压触发器的正负极加在非晶碳膜的两端。