| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件，包括衬底和接合到衬底的半导体薄膜，其中半导体薄膜包括多个分立工作区和隔离多个分立工作区的元件隔离区，且将元件隔离区蚀刻到比半导体薄膜的厚度更浅的深度，并且是比多个分立工作区更薄的区域。 | ||
| 申请公布号 | CN1595672A | 申请公布日期 | 2005.03.16 |
| 申请号 | CN200410077085.X | 申请日期 | 2004.09.10 |
| 申请人 | 冲数据株式会社 | 发明人 | 铃木贵人;藤原博之 |
| 分类号 | H01L33/00 | 主分类号 | H01L33/00 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 吴立明;梁永 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：衬底(12、52)；和接合到所述衬底(12、52)的半导体薄膜(14、54)；其中所述的半导体薄膜(14、54)包括多个分立工作区(14a、54a)，每一个分立工作区具有工作层，以及元件隔离区(14b、54b)，其是将多个分立工作区(14a、54a)的所述工作层(23)相互隔离的所述半导体薄膜(14、54)的变薄区域。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||