共振器件的制造方法

摘要

本发明提供一种共振器件的制造方法，在硅基板上形成压电体和电极，压电体和电极利用光刻形成图形。蚀刻硅基板，形成结构体。在结构体的至少一个面形成保护膜。蚀刻未形成保护膜的结构体的面，获得共振器件。一面测定共振频率，一面沿结构体的厚度方向蚀刻该结构体。借此，可以将共振器件的共振频率和失调频率调整为规定的值。

主权项

1、一种共振器件的制造方法，包括在硅基板的上方形成压电体层及电极层的工序，蚀刻前述硅基板形成结构体的工序，在前述结构体的第一面上形成保护膜的工序，然后，蚀刻前述结构体的第二面的工序。