半导体器件的制造方法

摘要

本发明的课题是，使电学特性分散性减少，实现能以高品质、高成品率制造MOS半导体器件的半导体器件制造方法。这是一种由制造形成作为产品的半导体器件的晶片的主体晶片制造工序和制造形成监测元件的晶片的监测晶片制造工序构成的半导体制造方法，仅共有监测工序，上述主体晶片制造工序包含分散性减少工序，将上述监测晶片制造工序定为包含完成情况观测工序和条件设定工序的半导体制造方法。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，这是在从包含制造形成半导体器件的主体晶片的多道工序的主体晶片制造工序中选定1道工序作为监测工序，从上述监测工序后续的主体后处理工序中选定1道工序作为分散性减少工序，制造形成监测元件的监测晶片的监测晶片制造工序具有：监测晶片前处理工序、上述监测工序、测定在相同条件下形成的监测元件的特性的完成情况观测工序、以及从在上述完成情况观测工序中测得的工序影响来决定上述分散性减少工序的制造条件的条件设定工序，在用上述条件设定工序所决定的制造条件下，进行主体后处理工序的半导体制造方法，其特征在于：将上述监测工序定为LOCOS法中的氧化工序。