半导体器件

摘要

半导体器件具有在沟槽型的多个器件隔离区域之间形成的NPN(或PNP)横向3层柱状物，在3层柱状物的上表面上具有源极和栅极，在下表面上具有漏极。器件隔离区域的深度(DT)和其最小平面宽度(WT_min)和3层柱状物的宽度(WP)，被构成为满足3.75≤DT/WP60或者5.5≤DT/WT_min≤14.3这样的关系。采用这样的构成，可以实现高的耐压和低的导通电阻。

主权项

1.一种半导体器件，具备：具有第1和第2主面的半导体衬底；分别具有沟槽的多个器件隔离区域，上述沟槽距离上述第1主面具有规定的深度且在上述沟槽的内部形成有绝缘物；由第1导电类型的第1和第2柱状物层以及第2导电类型的第3柱状物层构成的横方向3层柱状物，上述第1和第2柱状物层沿上述器件隔离区域的深度方向分别接连到上述多个器件隔离区域内相邻的2个器件隔离区域上，上述第3柱状物层在上述第1和第2柱状物层之间形成；在上述第3柱状物层的上表面上形成的第2导电类型的基极区域；在上述基极区域的上表面上选择性地形成的第1导电类型的源极区域；在上述源极区域和上述第1或第2柱状物层的上表面之间的上述基极区域上边与之绝缘地形成的栅极电极；在上述第2主面上形成，接连到上述3层柱状物的下表面上的第1导电类型的漏极层，其特征在于：上述3层柱状物的平面形状形成为网格状，在上述沟槽的深度为DT、上述3层柱状物的宽度为WP以及上述沟槽的最小开口宽度为WTmin时，具有3.75≤DT/WP≤60或5.5≤DT/WTmin≤14.3的关系。