利用离心力干燥晶片的防吸附方法和设备

摘要

提供一种利用离心力干燥晶片的防吸附方法和设备。此防吸附方法包括如下步骤：(a)使用蚀刻溶液除去叠置在晶片与微型结构间的牺牲层，(b)在漂洗溶液中漂洗蚀刻的微型结构和蚀刻的晶片达一预定时间，以致微型结构与晶片间的蚀刻溶液为漂洗溶液代替，(c)把漂洗过的晶片装在连接于一转动轴的一安装装置中并通过轴的转动除去留在晶片与微型结构间的漂洗溶液。晶片以铅直位置装在安装装置中，以致微型结构面向转动轴之外。因此，可以防止干燥过程中由MEMS工艺方法制成的微型结构与晶片间的吸附现象。

主权项

1、一种用于干燥晶片和制成在晶片上的微型结构的防吸附方法，此方法包括如下各步骤：(a)使用一种蚀刻溶液来除去叠置在晶片与微型结构之间的一牺牲层；(b)在一种漂洗溶液中漂洗经过蚀刻的微型结构和经过蚀刻的晶片一预定时间，使得微型结构与晶片之间的蚀刻溶液为漂洗溶液所代替；以及(c)把漂洗过的晶片装在连接于一转动轴的一安装装置之中并通过转动此轴而除去留在晶片与微型结构之间的漂洗溶液；其中晶片以铅直方位装在安装装置之中，使得微型结构向外与转动轴间隔开。