熔体扩散法制备近化学比铌酸锂晶片的工艺

摘要

本发明涉及一种对同成分铌酸锂晶片进行锂离子的扩散处理，特别是涉及提高铌酸锂中锂离子的浓度的工艺，以使晶片成为高锂浓度的近化学比铌酸锂晶片。本发明的技术方案是将同成分铌酸锂晶片置入坩埚中，用适量锂离子晶体粉末及钾离子晶体粉末将晶片覆盖，使离子晶体粉末熔化，熔液中，钾离子与锂离子数量比在0.2－0.5。并在熔融温度(1000－1200度)恒温1－200小时。随后，降温至室温，通过液体清洗和抛光，清理掉附着在晶片上的离子晶体残留物，最终获得高锂浓度的近化学比铌酸锂晶片，本工艺相对VTE来说，更为简单方便，更为经济。

主权项

1.一种熔体扩散法制备近化学比铌酸锂晶片的工艺，其特征在于它包括下述步骤：1)将同成分铌酸锂晶片置入坩埚中；2)用锂离子晶体和钾离子晶体的粉末混合物将晶片覆盖；3)加热坩埚至1000-1200度的温度范围内，这时离子晶体粉末混合物熔化，锂离子从熔融的离子晶体液态混合物中向铌酸锂晶体中扩散，通过1-200小时的处理，提高铌酸锂中锂的浓度；4)降温至室温；5)通过液体清洗或抛光，清理附着在晶片上的离子晶体残留物，最终获得近化学比铌酸锂晶片，晶片中锂与铌的原子个数比在49.5∶50.5-50.0∶50.0。