发明名称 |
旋转式硅晶片清洗装置 |
摘要 |
本发明提供一种旋转式硅晶片清洗装置,通过使以药物和纯水进行清洗处理后的硅晶片的氢气终端进行得更为完全,可使硅晶片的稳定性得到进一步提高。为此,本申请发明作为一种箱壳内设置有硅晶片的支持·旋转驱动装置,对经过药物清洗后的硅晶片以纯水进行清洗的旋转式硅晶片清洗装置,设置有硅晶片干燥装置,该硅晶片干燥装置由,附设在箱壳中的供给由含有0.05Vol%以上的氢气的氢气与惰性气体的混合气体的气体供给板块、一端连接在上述气体供给板块的气体混合器上的混合气体供给管、对上述混合气体供给管内的混合气体进行加热的混合气体加热装置、在与经上述混合气体加热装置加热的高温混合气体接触的部位具有可形成氢自由基的白金涂覆被膜的氢自由基生成装置等构成,通过将含有由上述氢自由基生成装置生成的氢自由基的混合气体,喷射到清洗后的进行旋转的硅晶片上,对硅晶片的外表面进行干燥和氢封端处理。 |
申请公布号 |
CN1596461A |
申请公布日期 |
2005.03.16 |
申请号 |
CN03801601.X |
申请日期 |
2003.09.11 |
申请人 |
株式会社富士金;大见忠弘;普雷帝克有限公司 |
发明人 |
大见忠弘;白井泰雪;藤田巧;皆见幸男;池田信一;森本明弘;川田幸司 |
分类号 |
H01L21/304 |
主分类号 |
H01L21/304 |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
温大鹏;杨松龄 |
主权项 |
1.一种在箱壳(2)内具有硅晶片的支持·旋转驱动装置(3),对药物清洗后的硅晶片以纯水进行清洗的旋转式硅晶片清洗装置,其特征是,设置有硅晶片干燥装置(1),该硅晶片干燥装置(1)包括,安装在所述箱壳(2)中的、供给含有0.05Vol%以上氢气的氢气与惰性气体的混合气体的气体供给板块(5),一端连接在所述气体供给板块(5)的气体混合器(14)上的混合气体供给管(A),对所述混合气体供给管(A)内的混合气体进行加热的混合气体加热装置(B),以及,在与被所述混合气体加热装置(B)加热的高温混合气体接触气体的部位具有可形成氢自由基的白金涂覆被膜的氢自由基生成装置(C)构成,通过将含有由所述氢自由基生成装置(C)所生成的氢自由基的混合气体喷射到清洗后的进行旋转的硅晶片(4)上,对硅晶片(4)的外表面进行干燥和氢封端处理。 |
地址 |
日本大阪府 |