发明名称 ZnO陶瓷薄膜的制备方法
摘要 本发明公开了一种ZnO陶瓷薄膜的制备方法,包括:采用传统的溶胶-凝胶法制备ZnO溶胶,取上述60~80%的溶胶烘干后,升温至550℃~650℃,使有机物分解,得到ZnO晶体,再碾磨制备成ZnO纳米粉体,其粒径在30nm~70nm;在上述ZnO粉体中加入分散剂,经混合后,加入到剩余的溶胶中;在载体上采用通常的方法制备所需厚度的薄膜,薄膜的退火温度为500℃~850℃。通过该方法可制备从2000nm~5000nm的薄膜,该薄膜无裂纹、致密型好、晶粒分布较均匀。
申请公布号 CN1594202A 申请公布日期 2005.03.16
申请号 CN200410013448.3 申请日期 2004.07.10
申请人 华中科技大学 发明人 姜胜林;曾亦可;李秀峰;刘梅冬
分类号 C04B35/453;C04B35/624 主分类号 C04B35/453
代理机构 华中科技大学专利中心 代理人 朱仁玲
主权项 1.一种ZnO陶瓷薄膜的制备方法,其特征在于:包括(1)采用溶胶-凝胶法制备ZnO溶胶;(2)取上述60~80%的溶胶,升温至550℃~650℃,使有机物分解,得到ZnO晶体,再碾磨制备成ZnO纳米粉体,其粒径在30nm~70nm;(3)在上述ZnO粉体中,加入分散剂,经混合后,加入到剩余的溶胶中;(4)在载体上制备薄膜,薄膜的退火温度为500℃~850℃。
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