发明名称 | ZnO陶瓷薄膜的制备方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种ZnO陶瓷薄膜的制备方法,包括:采用传统的溶胶-凝胶法制备ZnO溶胶,取上述60~80%的溶胶烘干后,升温至550℃~650℃,使有机物分解,得到ZnO晶体,再碾磨制备成ZnO纳米粉体,其粒径在30nm~70nm;在上述ZnO粉体中加入分散剂,经混合后,加入到剩余的溶胶中;在载体上采用通常的方法制备所需厚度的薄膜,薄膜的退火温度为500℃~850℃。通过该方法可制备从2000nm~5000nm的薄膜,该薄膜无裂纹、致密型好、晶粒分布较均匀。 | ||
申请公布号 | CN1594202A | 申请公布日期 | 2005.03.16 |
申请号 | CN200410013448.3 | 申请日期 | 2004.07.10 |
申请人 | 华中科技大学 | 发明人 | 姜胜林;曾亦可;李秀峰;刘梅冬 |
分类号 | C04B35/453;C04B35/624 | 主分类号 | C04B35/453 |
代理机构 | 华中科技大学专利中心 | 代理人 | 朱仁玲 |
主权项 | 1.一种ZnO陶瓷薄膜的制备方法,其特征在于:包括(1)采用溶胶-凝胶法制备ZnO溶胶;(2)取上述60~80%的溶胶,升温至550℃~650℃,使有机物分解,得到ZnO晶体,再碾磨制备成ZnO纳米粉体,其粒径在30nm~70nm;(3)在上述ZnO粉体中,加入分散剂,经混合后,加入到剩余的溶胶中;(4)在载体上制备薄膜,薄膜的退火温度为500℃~850℃。 | ||
地址 | 430074湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号 |