多电位场极板横向高压N型金属氧化物半导体管

摘要

本发明公开了一种涉及高压器件的多电位场极板高压N型金属氧化物半导体管，由N型衬底、P型外延层、源、漏、多晶硅栅、场氧化层和氧化层组成，在场氧化层的上方且位于漏和多晶硅栅之间设有多晶硅场极板，该多晶硅场极板与漏连接。本发明引入了与漏端等电位的多晶硅场极板，这样可以使得在多晶硅场极板下方的漂移区表面处于载流子的积累状态，从而大大降低开启态时漏端与多晶硅场极板之间的峰值电场，从而减少漏端载流子的碰撞电离，大大降低Kirk效应(大电流情况下，漏端电场高度聚集而引起的击穿电压降低的效应)，提高了器件的击穿电压和安全工作区。

主权项

1、一种涉及高压器件的多电位场极板高压N型金属氧化物半导体管，由N型衬底(1)、P型外延层(2)、源(3)、漏(4)、多晶硅栅(5)、场氧化层(6)和氧化层(8)组成，P型外延层(2)设在N型衬底(1)的上方，场氧化层(6)位于源(3)和漏(4)之间，源(3)、漏(4)、多晶硅栅(5)和场氧化层(6)位于P型外延层(2)的上方，在多晶硅栅(5)和P型外延层(2)之间设有栅氧化层(7)，氧化层(8)位于源(3)、漏(4)、多晶硅栅(5)和场氧化层(6)的上方，在P型外延层(2)上方、氧化层(8)的下方且位于源(3)与场氧化层(6)之间设有P型接触孔(9)，在多晶硅栅(5)、源(3)和漏(4)上分别设有金属铝引线(13、14和15)，其特征在于在场氧化层(6)的上方且位于漏(4)和多晶硅栅(5)之间设有多晶硅场极板(10)，该多晶硅场极板(10)与漏(4)连接。