一种阵列化锰铜薄膜超高压力传感器及制备方法

摘要

本发明是提供了一种阵列化锰铜薄膜超高压力传感器及其制备方法，其特征是它包括形状为阵列式结构的N个压力敏感元件锰铜薄膜2和无机材料封装薄膜4；该传感器采用全薄膜工艺制作。本发明的传感器，消除了封装材料的高压旁路效应，可使传感器的测试精度达到为3～5％，响应时间缩短为20～40ns；具有一次可以高精度、高可靠性地测量大面积的超高压力的特点。本发明的传感器主要用于测试强冲击波的压力，如主要应用在测量装甲、核武器爆炸冲击波的压力测量等国防领域中。

主权项

1、一种阵列化锰铜薄膜超高压力传感器，包括基板1、电极3、后置件5，其特征是它还包括形状为阵列式结构的N个压力敏感元件锰铜薄膜2和无机材料封装薄膜4，所述的阵列式结构是指由N个压力敏感元件锰铜薄膜2均匀对称分布、且每个压力敏感元件锰铜薄膜2均连接四个电极3所构成的结构；形状为阵列式结构的N个压力敏感元件锰铜薄膜2沉积在基板1上面，再沉积N×4个电极3，然后在压力敏感元件锰铜薄膜2和电极3的表面上沉积无机材料封装薄膜4，最后在无机材料封装薄膜4上面粘贴后置件5，将整个传感器封装起来，这样就构成了本发明的阵列化锰铜薄膜超高压力传感器。