化合物半导体开关电路装置

摘要

一种化合物半导体开关电路装置，以往在FET2的栅极与控制端子1连接、栅极1的栅极与控制端子2连接的密勒形状的逻辑中，必须象系袖带子般连接电阻，由于在芯片外周配置，所以，具有芯片尺寸大的问题。将两只平行电阻配置在共同输入端子和FET之间。而且以n+型杂质扩散区域形成电阻，将FET的一部分配置在控制端子和输出端子之间，可以和普通图形同一芯片尺寸实现密勒开关电路。

主权项

1、一种化合物半导体开关电路装置，在沟道层表面层形成设有源极、栅极、漏极的第一和第二FET，将两个FET的源极或漏极作为共同输入端子，具有与前述两个FET的漏极或源极连接的第一和第二输出端子、和与前述两个FET的栅极连接的第一和第二控制端子，前述第一输出端子、控制端子用焊接区配置在前述第一FET周围，前述第二输出端子、控制端子用焊接区配置在前述第二FET周围，对前述两个FET的栅极施加控制信号，使某一个FET导通，前述共同输入端子与前述第一和第二输出端子的某一方形成信号路径，其特征在于：将连接前述第一FET的栅极与前述第二控制端子的第一电阻，和连接前述第二FET的栅极与前述第一控制端子的第二电阻配置在作为前述共同输入端子的焊接区和前述两个FET之间。