| 主权项 |
1.一种搭载透明基板之晶圆切割方法,至少包括:提供一晶圆,具有一主动表面、多条第一方向晶圆切割刻痕及多条第二方向晶圆切割刻痕,该些第一方向晶圆切割刻痕及该些第二方向晶圆切割刻痕系位于该主动表面上,该些第一方向晶圆切割刻痕与该些第二方向晶圆切割刻痕系为相互垂直,每一对相邻之该些第一方向晶圆切割刻痕与每一对相邻之该些第二方向晶圆切割刻痕所包围的矩形区域系定义出多个晶片;提供一透明基板;接合该透明基板于该主动表面上,其中该透明基板具有一边缘区域,该边缘区域系位于该晶圆之整个周围的外部;分别以每一该些第一方向晶圆切割刻痕为基准并偏移一第一预设距离,切割该透明基板,而分别形成对应之一第一方向基板切割线于该透明基板上,该些第一方向基板切割线系平行于该些第一方向晶圆切割刻痕,该些第一方向基板切割线系延伸至该边缘区域,并且还分别以每一该些第二方向晶圆切割刻痕为基准,切割该透明基板,而分别形成对应之一第二方向基板切割线于该透明基板上,该些第二方向基板切割线系平行于该些第二方向晶圆切割刻痕,该些第二方向基板切割线系延伸至该边缘区域;以及分别以延伸至该边缘区域之每一该些第一方向基板切割线为基准并偏移该第一预设距离,切割该晶圆,而分别形成对应之一第一方向晶圆切割线于该晶圆上,该些第一方向晶圆切割线系平行于该些第一方向基板切割线,使得该些第一方向晶圆切割线系分别与对应之该些第一方向晶圆切割刻痕重合,并且还分别以延伸至该边缘区域之每一该些第二方向基板切割线为基准,切割该晶圆,而分别形成对应之一第二方向晶圆切割线于该晶圆上,该些第二方向晶圆切割线系平行于该些第二方向基板切割线,且该些第二方向晶圆切割线系分别与对应之该些第二方向晶圆切割刻痕重合,藉以形成多个独立分开的封装体。2.如申请专利范围第1项所述之搭载透明基板之晶圆切割方法,其中该透明基板之边缘与该晶圆之边缘之间的最短距离系介于1微米到2微米之间。3.如申请专利范围第1项所述之搭载透明基板之晶圆切割方法,其中该透明基板之材质系为玻璃。4.如申请专利范围第3项所述之搭载透明基板之晶圆切割方法,其中多个微镜片系配置于该透明基板上,并且该些微镜片适于做适当的旋转,藉以控制照射到该些微镜片上之一光线的反射方向。5.如申请专利范围第1项所述之搭载透明基板之晶圆切割方法,其中多个微镜片系配置于该晶圆上,并且该些微镜片适于做适当的旋转,藉以控制照射到该些微镜片上之一光线的反射方向。6.一种搭载透明基板之晶圆切割方法,至少包括:提供一晶圆,具有一主动表面、多条第一方向晶圆切割刻痕及多条第二方向晶圆切割刻痕,该些第一方向晶圆切割刻痕及该些第二方向晶圆切割刻痕系位于该主动表面上,该些第一方向晶圆切割刻痕与该些第二方向晶圆切割刻痕系为相互垂直,每一对相邻之该些第一方向晶圆切割刻痕与每一对相邻之该些第二方向晶圆切割刻痕所包围的矩形区域系定义出多个晶片;提供一透明基板;接合该透明基板于该主动表面上,其中该透明基板具有一边缘区域,该边缘区域系位于该晶圆之整个周围的外部;分别以每一该些第一方向晶圆切割刻痕为基准并偏移一第一预设距离,切割该透明基板,而分别形成对应之一第一方向基板切割线于该透明基板上,该些第一方向基板切割线系平行于该些第一方向晶圆切割刻痕,该些第一方向基板切割线系延伸至该边缘区域,并且还分别以每一该些第二方向晶圆切割刻痕为基准并偏移一第二预设距离,切割该透明基板,而分别形成对应之一第二方向基板切割线于该透明基板上,该些第二方向基板切割线系平行于该些第二方向晶圆切割刻痕,该些第二方向基板切割线系延伸至该边缘区域;以及分别以延伸至该边缘区域之每一该些第一方向基板切割线为基准并偏移该第一预设距离,切割该晶圆,而分别形成对应之一第一方向晶圆切割线于该晶圆上,该些第一方向晶圆切割线系平行于该些第一方向基板切割线,使得该些第一方向晶圆切割线系分别与对应之该些第一方向晶圆切割刻痕重合,并且还分别以延伸至该边缘区域之每一该些第二方向基板切割线为基准并偏移该第二预设距离,切割该晶圆,而分别形成对应之一第二方向晶圆切割线于该晶圆上,该些第二方向晶圆切割线系平行于该些第二方向基板切割线,且该些第二方向晶圆切割线系分别与对应之该些第二方向晶圆切割刻痕重合,藉以形成多个独立分开的封装体。7.如申请专利范围第6项所述之搭载透明基板之晶圆切割方法,其中该透明基板之边缘与该晶圆之边缘之间的最短距离系介于1微米到2微米之间。8.如申请专利范围第6项所述之搭载透明基板之晶圆切割方法,其中该透明基板之材质系为玻璃。9.如申请专利范围第8项所述之搭载透明基板之晶圆切割方法,其中多个微镜片系配置于该透明基板上,并且该些微镜片适于做适当的旋转,藉以控制照射到该些微镜片上之一光线的反射方向。10.如申请专利范围第6项所述之搭载透明基板之晶圆切割方法,其中多个微镜片系配置于该晶圆上,并且该些微镜片适于做适当的旋转,藉以控制照射到该些微镜片上之一光线的反射方向。图式简单说明:第1图绘示一般投影设备的影像投影示意图。第2图绘示习知微系统封装结构在进行切割制程时之剖面示意图。第3图绘示习知微系统封装结构在进行切割制程时之晶圆背面的平面示意图。第4图绘示依照美国专利第5,504,614号之微镜片配置于晶片上之立体示意图。第5图绘示依照本发明一较佳实施例之微系统封装结构在进行切割晶圆之后的剖面示意图,其中微镜片系配置在晶片上。第6图绘示依照本发明一较佳实施例之微系统封装结构在进行切割晶圆之后的剖面示意图,其中微镜片系配置在透明基板上。第7图系绘示依照本发明一较佳实施例之微系统封装结构在进行切割制程时之剖面示意图。第7A图系为第7图中沿着剖面线Ⅰ-Ⅰ之剖面示意图。第8图绘示依照本发明一较佳实施例之微系统封装结构在进行切割制程时之晶圆背面的平面示意图。第8A图系为第8图中沿着剖面线Ⅱ-Ⅱ之剖面示意图。第9图绘示依照本发明第二较佳实施例之微系统封装结构在切割透明基板之后之上视示意图。第10图绘示依照本发明第二较佳实施例之微系统封装结构在切割晶圆之后之下视示意图。第11图绘示依照本发明第三较佳实施例之微系统封装结构在切割透明基板之后之上视示意图。第12图绘示依照本发明第三较佳实施例之微系统封装结构在切割晶圆之后之下视示意图。 |
