| 主权项 |
1.一种雷射退火装置,适于对一非晶矽薄膜进行雷射退火制程,该雷射退火装置包括:一雷射加工模组,系提供一雷射光束至该非晶矽薄膜,以使该非晶矽薄膜再结晶而形成一多晶矽薄膜;一电阻量测模组,适于量测该多晶矽薄膜之片电阻,以得到一片电阻値;以及一主机电路模组,电性连接于该雷射加工模组与该电阻量测模组之间,该主机电路模组系根据该片电阻値对应输出一回授讯号至该雷射加工模组,以调整该雷射光束之能量密度至最佳化。2.如申请专利范围第1项所述之雷射退火装置,更包括一承载模组,其中该承载模组系可活动地配置于该雷射加工模组与该电阻量测模组之间,用以承载该非晶矽薄膜,且该承载模组系电性连接至该主机电路模组。3.如申请专利范围第1项所述之雷射退火装置,其中该雷射加工模组包括:一雷射光源;以及一控制电路,其中该控制电路系电性连接于该雷射光源与该主机电路模组之间。4.如申请专利范围第3项所述之雷射退火装置,其中该雷射光源包括准分子雷射。5.如申请专利范围第1项所述之雷射退火装置,其中该电阻量测模组包括:一量测端;以及一输出电路,其中该输出电路系电性连接于该量测端与该主机电路模组之间。6.如申请专利范围第5项所述之雷射退火装置,其中该量测端包括一探针组。7.如申请专利范围第1项所述之雷射退火装置,其中该主机电路模组内建一资料库,且该主机电路模组适于将该片电阻値与该资料库所储存之多数个参考电阻値进行比对,以获得该回授讯号。8.一种雷射退火制程,包括:(a)提供一雷射光束至多数个非晶矽薄膜其中之一,以使其再结晶形成一多晶矽薄膜;(b)量测该多晶矽薄膜之片电阻,以得到一片电阻値;(c)将该片电阻値与多数个参考电阻値进行比对;以及(d)根据该片电阻値与该些参考电阻値之比对结果,调整该雷射光束之能量密度至最佳化。9.如申请专利范围第8项所述之雷射退火制程,其中在步骤(d)之后,更包括:(e)提供能量密度调整后之该雷射光束至该些非晶矽薄膜之其中另一,以使其再结晶形成另一多晶矽薄膜。10.如申请专利范围第9项所述之雷射退火制程,其中在步骤(e)之后,更包括重复步骤(b)至步骤(e)多数次。11.如申请专利范围第8项所述之雷射退火制程,其中在步骤(a)之前,更包括:(f)分别提供不同能量密度之该雷射光束至多数个非晶矽薄膜样品,以使每一非晶矽薄膜样品再结晶形成一多晶矽薄膜样品;以及(g)量测该些多晶矽薄膜样品之片电阻,以作为该些参考电阻値。图式简单说明:第1图绘示为本发明之较佳实施例之一种雷射退火装置的示意图。第2图绘示为本发明之雷射退火制程之经验参数的相关曲线图。第3图绘示为本发明之较佳实施例之一种雷射退火制程的流程图。 |
