| 主权项 |
1.一种形成金氧半电晶体的方法,该方法至少包含:在一基材上形成一闸极堆叠,其中该闸极堆叠包括一闸介电层及一导体层;形成一罩幕层以覆盖该闸极堆叠与该基材;蚀刻该罩幕层以暴露出该闸极堆叠的一侧以及与该侧同侧之该基材的表面;横向蚀刻暴露出之该闸介电层的一部份;对暴露出之该闸极堆叠之该导体层进行一氧化制程以氧化暴露出之该闸极底部角落而形成一鸟嘴结构;去除该罩幕层;以及在该闸极两侧之该基材中分别形成一源极与一汲极,该汲极与该鸟嘴结构同侧。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该导体层的材质包含多晶矽。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该闸介电层的材质包含氧化物。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中横向蚀刻该闸介电层的方法包含一等向性蚀刻。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该罩幕层包含氮化物。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该罩幕层包含氮化矽。7.一种形成金氧半电晶体的方法,该方法至少包含:在一基材上形成一闸极堆叠,其中该闸极堆叠包括一闸介电层及一导体层;形成一罩幕层以覆盖该闸极堆叠与该基材;以一倾斜角度对该罩幕层进行离子布植,利用该闸极堆叠之遮蔽效应作为离子植入之罩幕,遮蔽部分与离子植入方向相反之侧的该罩幕层;选择性蚀刻离子植入部分之该罩幕层,以暴露出该闸极堆叠的一侧以及与该侧同侧之该基材的表面;对暴露出之该闸极堆叠之该导体层进行一氧化制程以氧化暴露出之该闸极底部角落而形成一鸟嘴结构;去除该罩幕层;以及在该闸极两侧之该基材中分别形成一源极与一汲极,该汲极与该鸟嘴结构同侧。8.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该导体层的材质包含多晶矽。9.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该闸介电层的材质包含氧化物。10.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该罩幕层包含氧化层。11.如申请专利范围第10项所述之方法,其中形成该罩幕层的方式为化学气相沉积法。12.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该选择性蚀刻系使用湿蚀刻制程。13.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该罩幕层的材质包含氧化矽。14.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该选择性蚀刻所用之蚀刻液含有氢氟酸。15.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该离子布植步骤中所使用之离子源包含氮离子。16.如申请专利范围第7项所述之方法,其中进行该氧化制程之前更包含横向蚀刻暴露出之该闸介电层的一部份。17.如申请专利范围第16项所述之方法,其中横向蚀刻该闸介电层的方法包含一等向性蚀刻。图式简单说明:第1A图是一金氧半电晶体共源极放大器之电路架构图。第1B图为第1A图之共源极放大器之小信号等效电路图。第1C图为第1B图之小信号等效电路之简化电路图。第1D图绘示以米勒电容CM取代重叠电容Cgd后第1C图中输入侧之等效电路图。第2图绘示依据本发明一较佳实施例之一种金氧半电晶体之剖面结构示意图。第3图为第2图中的鸟嘴之放大图。第4A-4E图绘示依照本发明一较佳实施例之一种金氧半电晶体的制造流程剖面示意图。第5A-5F图系为依照本发明另一较佳实施例的制造流程剖面结构示意图。 |
