光学微机电封装结构及制造方法

摘要

一种光学微机电封装结构，包括基板、光学微机电晶片模组、连接线、静电放电防护导体及封胶体。基板之顶面具有焊接手指，光学微机电晶片模组包括光学微机电晶片、透明绝缘板、光学微机电元件及间隔环。光学微机电晶片系配置于基板之顶面上，光学微机电晶片之顶面具有接垫，接垫靠近光学微机电晶片之一侧面及焊接手指。间隔环设置于光学微机电晶片之顶面上，透明绝缘板设置于间隔环上，并与间隔环及光学微机电晶片围成一空间。光学微机电元件系配置于空间内之光学微机电晶片之顶面或透明绝缘板之底面上。连接线系电性连接接垫及焊接手指，静电放电防护导体系设置于透明绝缘板及基板之间并接地，静电放电防护导体位于光学微机电晶片之另一侧面外。封胶体系覆盖部分之光学微机电晶片之顶面及侧面、连接线及部分之基板之顶面。

主权项

1.一种光学微机电封装结构,至少包括:一基板,其顶面具有至少一焊接手指;一光学微机电晶片模组,至少包括:一光学微机电晶片,系配置于该基板之顶面上,该光学微机电晶片之顶面具有一接垫,该接垫系靠近该光学微机电晶片之一侧面及该焊接手指;一间隔环,系设置于该光学微机电晶片之顶面上;一透明绝缘板,系设置于该间隔环上,并与该间隔环及该光学微机电晶片围成一空间;及一光学微机电元件,系配置于该空间内之该光学微机电晶片之顶面或该透明绝缘板之底面上;一连接线,用以电性连接该接垫及该焊接手指;一静电放电(electrostatic discharge,ESD)防护导体,系以一导电银胶黏贴于该透明绝缘板之底面及该基板之顶面之间并接地,该静电放电防护导体系位于该光学微机电晶片之另一侧面外;以及一封胶体,用以覆盖部分之该光学微机电晶片之顶面、该光学微机电晶片之该侧面、该连接线及部分之该基板之顶面。2.如申请专利范围第1项所述之光学微机电封装结构,其中该基板更包括:至少一焊垫,系配置于该基板之底面,用以与该焊接手指电性连接。3.如申请专利范围第2项所述之光学微机电封装结构,其中该基板更具有至少一贯孔(via),该贯孔系贯穿该基板,用以电性连接该焊接手指及该焊垫。4.如申请专利范围第2项所述之光学微机电封装结构,其中该光学微机电封装结构更包括:至少一锡球,系配置于该焊垫上。5.如申请专利范围第1项所述之光学微机电封装结构,其中该基板更包括:至少一散热锡球,系配置于该基板之底面上。6.如申请专利范围第1项所述之光学微机电封装结构,其中该静电放电防护导体为金属。7.如申请专利范围第1项所述之光学微机电封装结构,其中该静电放电防护导体为金、银或铜。8.如申请专利范围第1项所述之光学微机电封装结构,其中该基板为陶瓷基板。9.如申请专利范围第1项所述之光学微机电封装结构,其中该基板为双顺丁烯二酸醯亚胺(bismaleimidetriazene,BT)树脂基板。10.如申请专利范围第1项所述之光学微机电封装结构,其中该基板为透明绝缘板纤维环氧树脂铜箔(epoxy woven glass fabric copper clad laminate,FR4)基板。11.如申请专利范围第1项所述之光学微机电封装结构,其中该基板为可挠性(flexible)基板。12.如申请专利范围第11项所述之光学微机电封装结构,其中该可挠性基板可连接一排线。13.如申请专利范围第1项所述之光学微机电封装结构,其中该光学微机电晶片为互补金氧化半导体(complementary metal-oxide semiconductor,CMOS)晶片。14.如申请专利范围第1项所述之光学微机电封装结构,其中该透明绝缘板为透明玻璃板或透明塑胶板。15.如申请专利范围第1项所述之光学微机电封装结构,其中该封胶体系又覆盖该透明绝缘板之一侧面及部分之该间隔环。16.如申请专利范围第1项所述之光学微机电封装结构,其中该光学微机电元件为一可动元件,该可动元件系配置于该光学微机电晶片之顶面或该透明绝缘板之底面上。17.如申请专利范围第16项所述之光学微机电封装结构,其中该可动元件为微镜子(micromirror)。18.如申请专利范围第1项所述之光学微机电封装结构,其中该光学微机电元件为一感测元件,该感测元件系配置于该光学微机电晶片之顶面上。19.如申请专利范围第1项所述之光学微机电封装结构,其中该连接线为金线。20.一种光学微机电封装结构之制造方法,至少包括:提供一基板,该基板之顶面具有一焊接手指;以一导电银胶黏贴一静电放电防护导体于该基板之顶面上,并涂布另一导电银胶于该静电放电防护导体之顶端上,该静电放电防护导体系接地;将一光学微机电晶片模组配置于该基板之顶面上,其中,该光学微机电晶片模组至少包括一光学微机电晶片、一间隔环、一透明绝缘板及一光学微机电元件,该间隔环系设置于该光学微机电晶片之顶面上,该透明绝缘板系配置于该间隔环上,并与该间隔环及该光学微机电晶片围成一空间,该光学微机电元件系配置于该空间内之该光学微机电晶片之顶面或该透明绝缘板之底面上,该光学微机电晶片之顶面具有至少一接垫,该接垫系靠近该光学微机电晶片之一侧面,该光学微机电晶片之底面系与该基板之顶面黏贴,该接垫系靠近该焊接手指,该静电放电防护导体系位于该光学微机电晶片之另一侧面外,并藉由另该导电银胶与该透明绝缘板之底面黏贴;形成一连接线,以电性连接该接垫与该焊接手指;以及形成一封胶体,以覆盖部分之该光学微机电晶片之顶面、该光学微机电晶片之该侧面、该连接线及部分之该基板之顶面。21.如申请专利范围第20项所述之方法,其中该基板之底面具有至少一焊垫,该焊垫系与该焊接手指电性连接,该方法于该形成一封胶体之步骤后更包括:形成至少一锡球于该焊垫上。22.如申请专利范围第20项所述之方法,其中该方法于该形成一封胶体之步骤后更包括:形成至少一散热锡球于该基板之顶面上。23.如申请专利范围第20项所述之方法,其中该静电放电防护导体为金属。24.如申请专利范围第23项所述之方法,其中该静电放电防护导体为金、银或铜。25.如申请专利范围第20项所述之方法,其中该基板为陶瓷基板。26.如申请专利范围第20项所述之方法,其中该基板为双顺丁烯二酸醯亚胺(bismaleimide triazene,BT)树脂基板。27.如申请专利范围第20项所述之方法,其中该基板为透明绝缘板纤维环氧树脂铜箔(epoxy woven glassfabric copper clad laminate,FR4)基板。28.如申请专利范围第20项所述之方法,其中该基板为可挠性(flexible)基板。29.如申请专利范围第28项所述之方法,其中该可挠性基板可连接一排线。30.如申请专利范围第20项所述之方法,其中该光学微机电晶片为互补金氧化半导体(complementary metal-oxide semiconductor,CMOS)晶片。31.如申请专利范围第20项所述之方法,其中该透明绝缘板为透明玻璃板或透明塑胶板。32.如申请专利范围第20项所述之方法,其中该封胶体系又覆盖该透明绝缘板之一侧面及部分之该间隔环。33.如申请专利范围第20项所述之方法,其中该光学微机电元件为一可动元件,该可动元件系配置于该光学微机电晶片之顶面或该透明绝缘板之底面上。34.如申请专利范围第33项所述之方法,其中该可动元件为微镜子(micromirror)。35.如申请专利范围第20项所述之方法,其中该光学微机电元件为一感测元件,该感测元件系配置于该光学微机电晶片之顶面上。36.如申请专利范围第20项所述之方法,其中该连接线为金线。图式简单说明:第1图绘示乃依照传统之微机电封装结构的剖面图。第2图绘示乃依照本发明之较佳实施例之光学微机电封装结构的剖面图。第3A图绘示乃本发明之光学微机电封装结构之基板底面上具有阵列排放之焊垫时之状态的示意图。第3B图绘示乃本发明之光学微机电封装结构之基板底面上具有阵列排放之锡球时之状态的示意图。第4A~4F图绘示乃依照本发明之较佳实施例之光学微机电封装结构之制造方法的流程剖面图。