| 主权项 |
1.一种低温多晶矽薄膜的制造方法,至少包括:在一基板上形成一非晶矽层;对该非晶矽层进行一回火制程,以使该非晶矽层转变为一多晶矽层,其中该多晶矽层之表面形成数个突起物;以及对该多晶矽层进行一表面平坦化处理步骤。2.如申请专利范围第1项所述之低温多晶矽薄膜的制造方法,其中该表面平坦化处理步骤包括进行一电浆蚀刻处理步骤。3.如申请专利范围第1项所述之低温多晶矽薄膜的制造方法,其中该表面平坦化处理步骤包括进行一化学湿式蚀刻处理步骤。4.如申请专利范围第1项所述之低温多晶矽薄膜的制造方法,其中该表面平坦化处理步骤包括进行一氧化处理以及电浆蚀刻处理步骤。5.如申请专利范围第1项所述之低温多晶矽薄膜的制造方法,其中该表面平坦化处理步骤包括进行一氧化处理以及化学湿式蚀刻处理步骤。6.如申请专利范围第1项所述之低温多晶矽薄膜的制造方法,其中该表面平坦化处理步骤包括进行一研磨处理步骤。7.如申请专利范围第1项所述之低温多晶矽薄膜的制造方法,其中该表面平坦化处理步骤包括进行一准分子雷射回火处理步骤。8.如申请专利范围第1项所述之低温多晶矽薄膜的制造方法,其中该回火制程包括一雷射回火制程。9.如申请专利范围第8项所述之低温多晶矽薄膜的制造方法,其中该雷射回火制程系选自连续侧向固化法(sequential lateral solidfication,简称SLS)与固态雷射法(solid state laser,简称SSL)其中之一。10.如申请专利范围第1项所述之低温多晶矽薄膜的制造方法,其中在该基板上形成该非晶矽层之前,更包括先在该基板上形成一缓冲层。图式简单说明:第1A图至第1D图是依照本发明之一较佳实施例的一种低温多晶矽薄膜之制程流程剖面示意图。 |
