发明名称 晶圆结构及凸块制程
摘要 一种晶圆结构,至少包括具有复数个焊垫、第一保护层与第二保护层之晶圆,其中焊垫设置于主动表面上,第一保护层暴露出焊垫,第二保护层设置于第一保护层上并暴露焊垫;设置于焊垫上之黏着层,此黏着层之边缘部分覆盖第一保护层之部分表面,并被第二保护层覆盖住;设置于焊垫上之黏着层上的阻障层;设置于阻障层上的沾附层与设置于沾附层上之复数个凸块。
申请公布号 TWI229436 申请公布日期 2005.03.11
申请号 TW092118830 申请日期 2003.07.10
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 黄敏龙
分类号 H01L23/48 主分类号 H01L23/48
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项 1.一种晶圆结构,包括:一晶圆,具有一第一保护层及复数个焊垫,而该些焊垫系设置于一主动表面上,且该第一保护层系暴露出该些焊垫;一球底金属层,设置于该些焊垫上,该球底金属层包括一第一金属层与设置于该第一金属层上之一第二金属层,且该第一金属层之边缘部分覆盖该第一保护层之部分表面;一第二保护层,设置于该第一保护层上,覆盖该第一金属层之边缘部分并暴露出该第二金属层;以及复数个凸块,设置于该球底金属层上。2.如申请专利范围第1项所述之晶圆结构,其中该球底金属层至少包括:一黏着层,设置于该些焊垫上;一阻障层,设置于该黏着层上;以及一沾附层,设置于该阻障层及该些凸块之间3.如申请专利范围第2项所述之晶圆结构,其中该黏着层包括单层结构或多层结构。4.如申请专利范围第2项所述之晶圆结构,其中该阻障层包括单层结构或多层结构。5.如申请专利范围第2项所述之晶圆结构,其中该沾附层包括单层结构或多层结构。6.如申请专利范围第2项所述之晶圆结构,其中该第一金属层包括该黏着层,该第二金属层包括该阻障层与该沾附层。7.如申请专利范围第2项所述之晶圆结构,其中该第一金属层包括该黏着层与该阻障层,该第二金属层包括该沾附层。8.如申请专利范围第2项所述之晶圆结构,其中该黏着层之材质系选自钛与铝所组之族群。9.如申请专利范围第2项所述之晶圆结构,其中该阻障层之材质系选自镍钒合金、钛氮化合物、钽氮化合物与镍所组之族群。10.如申请专利范围第2项所述之晶圆结构,其中该沾附层之材质包括铜。11.如申请专利范围第2项所述之晶圆结构,其中该第二保护层之材质系选自苯并环丁烯(benzocyclobutene,BCB)与聚亚醯胺(polyimide,PI)所组之族群。12.如申请专利范围第2项所述之晶圆结构,其中该凸块包括焊料凸块。13.如申请专利范围第2项所述之晶圆结构,其中该凸块包括柱状或球状。14.一种凸块制程,用以制作复数个凸块于一晶圆上,且该晶圆具有一第一保护层及复数个焊垫,而该些焊垫系设置于一主动表面上,且该第一保护层系暴露出该些焊垫,该凸块制程包括:于该晶圆上形成一第一金属层,且该第一金属之边缘部分延伸覆盖该第一保护层之部分表面;于该第一保护层上形成一第二保护层,该第二保护层覆盖该第一金属层之边缘部分;于该第一金属层上形成一第二金属层;以及于该第二金属层上形成复数个凸块。15.如申请专利范围第14项所述之凸块制程,其中于该晶圆上形成该第一金属层与该第二金属层之步骤包括:于该晶圆上形成一黏着层;图案化该黏着层,使该黏着层位于该些焊垫上且边缘部分覆盖该第一保护层之部分表面;于该第一保护层上形成该第二保护层,该第二保护层覆盖该黏着层之边缘部分;于该黏着层上形成一阻障层;于该阻障层上形成一沾附层;以及图案化该沾附层与该阻障层,使残留之该沾附层与该阻障层位于该些焊垫上方。16.如申请专利范围第14项所述之凸块制程,其中于该晶圆上形成该该第一金属层与该第二金属层之步骤包括:于该晶圆上形成一黏着层;于该黏着层上形成一阻障层;图案化该黏着层与该阻障层,使该黏着层与该阻障层位于该些焊垫上,且边缘部分覆盖该第一保护层之部分表面;于该第一保护层上形成该第二保护层,该第二保护层覆盖该黏着层之边缘部分;于该阻障层上形成一沾附层;以及图案化该沾附层,使残留之该沾附层位于该些焊垫上方。17.如申请专利范围第14项所述之凸块制程,其中形成该第二保护层之步骤包括:于该晶圆上形成一高分子层;以及图案化该高分子层。18.如申请专利范围第14项所述之凸块制程,其中于该第二金属层上形成该些凸块之步骤包括:于该晶圆上形成一罩幕层,其中该罩幕层具有复数个开口,并至少暴露出该第二金属层;于该些开口中分别填入一焊料;以及去除该罩幕层。19.如申请专利范围第18项所述之凸块制程,其中于去除该罩幕层之步骤后更包括:进行一回焊制程,使该焊料个别形成一凸块。20.如申请专利范围第18项所述之凸块制程,其中于该些开口中分别填入该焊料之方法包括印刷法、电镀法或蒸镀法。图式简单说明:第1图所绘示为习知之晶圆结构的剖面示意图。第2A图与第2B图为分别绘示本发明之晶圆结构的剖面示意图。第3A图至第3F图所绘示为依照本发明一较佳实施例之凸块制程的流程示意图。第4A图至第4D图所绘示为依照本发明另一较佳实施例之凸块制程的流程示意图。
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