| 主权项 |
1.一种双极电晶体,包含:一具有一顶表面之基极;一位在该基极之该顶表面上之牺牲柱;一位在该牺牲柱上方之共形层;一位在该共形层,该牺牲柱,及该基底上方之牺牲平坦化层。2.如申请专利范围第1项之双极电晶体,其中,该牺牲柱位在该基底之该顶表面上之第一及第二链结边衬之间。3.如申请专利范围第1项之双极电晶体,其中,该牺牲平坦化层包含一有机材料。4.如申请专利范围第1项之双极电晶体,其中,该牺牲平坦化层厚度超过大概在0.0埃和大概2500.0埃间之该牺牲柱。5.如申请专利范围第3项之双极电晶体,其中,该有机材料为有机BARC。6.如申请专利范围第2项之双极电晶体,更包含一位在该第一及第二链结边衬间之第一区域,及位在该第一与第二链结边衬外部之第二区域,该牺牲平坦化层之该第一区域具第一厚度且该第二区域具第二厚度,其中,该第二厚度大于该第一厚度。7.如申请专利范围第6项之双极电晶体,其中,该第二厚度是在大概500.0埃和大概3500.0埃之间。8.如申请专利范围第1项之双极电晶体,其中,该双极电晶体为矽、锗异质接面之双极电晶体。9.如申请专利范围第1项之双极电晶体,其中,该双极电晶体为矽、锗、碳异质接面之双极电晶体。10.如申请专利范围第1项之双极电晶体,其中,该共形层包含氧化矽。11.一种双极电晶体之制造方法,该方法包含步骤:在一基极之顶表面上制造一牺牲柱;在该牺牲柱之上形成一共形层;在该共形层,该牺牲柱,及该基极之上沈积一牺牲平坦化层。12.如申请专利范围第11项之制造方法,更包含于形成该共形层之该步骤前,分别在该牺牲柱之第一及第二边上制造第一及第二链结边衬之一步骤。13.如申请专利范围第11项之制造方法,更包含步骤:在该牺牲平坦化层之上沈积一罩幕;在该罩幕中使一射极窗开口形成图案。14.如申请专利范围第11项之制造方法,其中,该牺牲平坦化层包含一有机材料。15.如申请专利范围第14项之制造方法,更包合以选自含有电浆蚀刻及硫磺湿式蚀刻组之制程,来移除该牺牲平坦化层之步骤。16.如申请专利范围第14项之制造方法,其中,该有机材料为一有机BARC。17.如申请专利范围第11项之制造方法,其中,该牺牲平坦化层是使用旋涂式制程加以沈积。18.如申请专利范围第13项之制造方法,其中,该射极窗开口宽度大于该牺牲柱宽度。19.如申请专利范围第13项之制造方法,其中,该射极窗开口宽度小于该牺牲柱宽度。20.如申请专利范围第13项之制造方法,其中,该射极窗开口宽度大概等于该牺牲柱宽度。21.如申请专利范围第11项之制造方法,更包含该牺牲平坦化层中一射极窗开口之蚀刻步骤。22.如申请专利范围第11项之制造方法,其中,该双极电晶体为一矽、锗异质接面之双极电晶体。23.如申请专利范围第11项之制造方法,其中,该双极电晶体为一矽、锗、碳异质接面之双极电晶体。24.一种双极电晶体,包含:一具有一顶表面之基极;一位在该基极之该顶表面上之牺牲柱;一位在该牺牲柱上方之共形层;一位在该共形层,该牺牲柱,及该基底上方之牺牲平坦化层;一位在该牺牲平坦化层之上之罩幕,该罩幕具一射极窗开口。25.如申请专利范围第24项之双极电晶体,其中,该牺牲柱位在该基底之该顶表面上之第一及第二链结边衬之间。26.如申请专利范围第24项之双极电晶体,其中,该牺牲平坦化层包含一有机材料。27.如申请专利范围第26项之双极电晶体,其中,该有机材料为有机BARC。28.如申请专利范围第25项之双极电晶体,更包含一位在该第一及第二链结边衬间之第一区域,及位在该第一与第二链结边衬外部之第二区域,该牺牲平坦化层之该第一区域具第一厚度且该第二区域具第二厚度,其中,该第二厚度大于该第一厚度。29.如申请专利范围第24项之双极电晶体,其中,该射极窗开口宽度大于该牺牲柱宽度。30.如申请专利范围第24项之双极电晶体,其中,该射极窗开口宽度小于该牺牲柱宽度。31.如申请专利范围第24项之双极电晶体,其中,该射极窗开口宽度大概等于该牺牲柱宽度。图式简单说明:第1图说明实施本发明一实施例所采取应用步骤前之一典范双极电晶体某些特性之切面图。第2图表示说明要实施本发明一实施例所采取步骤之流程图。第3Aa-3Ac图说明对应于第2图中某些步骤,包含根据本发明一实施例所处理之一晶圆部位之切面图。第3Ba-3Bc图说明对应于第2图中某些步骤,包含根据本发明一实施例所处理之一晶圆部位之切面图。第3Ca-3Cc图说明对应于第2图中某些步骤,包含根据本发明一实施例所处理之一晶圆部位之切面图。第3Da-3Db图说明对应于第2图中某些步骤,包含根据本发明一实施例所处理之一晶圆部位之切面图。 |
