| 主权项 |
1.一种抗腐蚀浓缩液,其为抗腐蚀处理的溶液之浓 缩液,用于具有暴露的金属表面之半导体基材的腐 蚀抑制处理,该浓缩液包含: 三唑类的化合物及/或其衍生物,作为抗腐蚀剂,其 中该抗腐蚀剂的浓度是在0.05到20%重量百分比的范 围内;以及 用于该抗腐蚀剂之沈淀抑制剂,其中该沉淀抑制剂 是至少一种选择自氢氧化铵、四甲基氢氧化铵、 非环状之胺类化合物以及醯胺类所组成的族群中, 其中该胺类化合物是至少一种选择自单乙醇胺、 二乙醇胺、三乙醇胺、2-(2-胺基乙氧基)乙醇、2-(2 -胺基乙基胺基)乙醇、2-(二乙基胺基)乙醇、2-二( 甲基胺基)乙醇、1-胺基-2-丙醇、2-胺基-1-丙醇、3- 胺基-1-丙醇、2-甲基胺基乙醇、2-胺基-2-甲基-1-丙 醇、2-二乙基胺基乙醇、胆硷、二乙烯三胺基以 及三乙烯四胺基所组成的族群中,其中该沈淀抑制 剂的浓度是在0.05到20%重量百分比的范围内。 2.如申请专利范围第1项所述之抗腐蚀浓缩液,其中 该抗腐蚀处理的溶液包含相同于或低于该浓缩液 之有效成份。 3.如申请专利范围第1项所述之抗腐蚀浓缩液,其中 该金属是铜或铜合金。 4.如申请专利范围第1项所述之抗腐蚀浓缩液,其中 作为抗腐蚀剂之三唑类化合物,是至少一种选择自 苯并三唑、1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、羧基苯并三唑 、1-羟基苯并三唑、硝基苯并三唑、5-甲基-1H-苯 并三唑及二羟基丙基苯并三唑所组成的族群中。 5.如申请专利范围第1项所述之抗腐蚀浓缩液,其中 该沈淀抑制剂是水溶性硷金属化合物,具有一个或 多个氮原子,以及在分子中不具有金属原子。 6.如申请专利范围第1项所述之抗腐蚀浓缩液,其中 该醯胺类化合物是至少一种选择自乙醯胺、N-甲 基乙醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N,N-二甲基丙烯醯 胺、2-咯烷酮、N-甲基咯烷酮以及己内醯胺所 组成的族群中。 7.如申请专利范围第1项所述之抗腐蚀浓缩液,具有 pH4到12。 8.如申请专利范围第1项所述之抗腐蚀浓缩液,其在 至少是抗腐蚀作用剂的沈淀温度之环境温度下储 存或运送。 9.一种运送如申请专利范围第1项所述之抗腐蚀浓 缩液之方法,其包括藉由将该浓缩液维持在至少是 包含在浓缩液中的抗腐蚀剂之沈淀温度的温度下, 而运送该浓缩液。 10.一种储存如申请专利范围第1项所述之抗腐蚀浓 缩液之方法,其包括藉由将该浓缩液维持在至少是 包含在浓缩液中的抗腐蚀剂之沈淀温度的温度下, 而储存该浓缩液。 |
