| 主权项 |
1.一种晶圆级之测试及凸块制程,适用于一晶圆,其 中该晶圆具有至少一修补线路,其埋设于该晶圆之 内部,且该晶圆更具有一主动表面,该晶圆级之测 试及凸块制程至少包括下列步骤: (a)配置至少一覆晶接合垫及至少一测试垫于该主 动表面上,且该测试垫系位于该主动表面之周缘, 并电性连接至该覆晶接合垫; (b)形成至少一修补视窗于该主动表面上,且该修补 视窗系相对凹陷于该晶圆之该主动表面,用以薄化 该修补线路及该主动表面之间的局部结构; (c)经由该测试垫来测试该晶圆之电性状态,并获得 一测试结果; (d)依照该测试结果,决定是否经由该修补视窗来截 断该修补线路; (e)形成图案化之一保护层于该晶圆之该主动表面 上,其中该保护层填补该修补视窗及覆盖该测试垫 ,但暴露出该覆晶接合垫;以及 (f)形成一凸块于该覆晶接合垫上。 2.如申请专利范围第1项所述之晶圆级之测试及凸 块制程,于步骤(c)之时,更包括经由一悬臂式探针 卡之至少一探针的尖端来接触该测试垫,用以电性 连接至该晶圆之内部电路。 3.如申请专利范围第1项所述之晶圆级之测试及凸 块制程,其中该晶圆更具有至少一迹线,其配置于 该主动表面上,而该测试垫系经由该迹线而电性连 接至该覆晶接合垫,且于步骤(e)之时,该保护层更 覆盖该迹线。 4.如申请专利范围第1项所述之晶圆级之测试及凸 块制程,更包括一步骤(g):切割该晶圆,用以形成复 数个晶片。 5.一种具有测试垫之晶片结构,至少包括: 一晶片,具有一主动表面、至少一覆晶接合垫及至 少一测试垫,其中该覆晶接合垫及该测试垫均配置 于该主动表面上,且该测试垫系位于该主动表面之 周缘,并电性连接至该覆晶接合垫;以及 一保护层,配置于该主动表面,且该保护层暴露出 该覆晶接合垫。 6.如申请专利范围第5项所述之具有测试垫之晶片 结构,其中该晶片更具有至少一修补线路,其埋设 于该晶片之内部,且该晶片更具有至少一修补视窗 ,其相对凹陷于该晶片之该主动表面,用以薄化该 修补线路及该主动表面之间的局部结构,而该保护 层更填补该修补视窗。 7.如申请专利范围第5项所述之具有测试垫之晶片 结构,其中该晶片更具有至少一迹线,其配置于该 主动表面上,而该测试垫系经由该迹线而电性连接 至该覆晶接合垫,且该保护层更覆盖该迹线。 8.如申请专利范围第5项所述之具有测试垫之晶片 结构,更包括至少一凸块,其配置于该覆晶接合垫 上。 图式简单说明: 第1A图绘示习知之晶圆的主动表面的局部俯视图 。 第1B图绘示习知之晶圆沿着Ⅰ-Ⅰ线的剖面示意图 。 第1C图绘示习知之晶圆的修补视窗沿着Ⅱ-Ⅱ线之 剖面示意图。 第2图绘示习知之晶圆级测试及封装的流程图。 第3A图绘示本发明之较佳实施例的一种利用测试 垫作为晶圆(或切割后之晶片)之测试接点的俯视 示意图。 第3B图绘示晶圆沿着Ⅰ-Ⅰ线之剖面示意图。 第4A~4C图绘示本发明之较佳实施例之晶圆级测试 及凸块制程的流程图。 第5图绘示本发明之较佳实施例之晶圆级测试及凸 块制程的流程图。 |
