| 主权项 |
1.一种有机EL发光装置,其包含有机EL发光层,及用 以施加电压至该有机EL发光层之电极,其中该有机 EL发光层系包含高分枝状聚合体层,且会发射偏极 光,而该高分枝状聚合体层系具有对准度为0.95或 较大之以单轴排列之高分枝状巨分子。 2.如申请专利范围第1项之有机EL发光装置,其中该 高分枝状聚合体层系包含自动组编之碟形高分枝 状巨分子。 3.如申请专利范围第1项之有机EL发光装置,其中该 高分枝状聚合体层系包含自动组编之棒状高分枝 状巨分子。 4.如申请专利范围第1至3项中任一项之有机EL发光 装置,其中该高分枝状巨分子系包含树枝状体。 5.如申请专利范围第1至3项中任一项之有机EL发光 装置,其中该高分枝状巨分子系藉由静电交互作用 自动组编。 6.如申请专利范围第1至3项中任一项之有机EL发光 装置,其中该高分枝状巨分子系藉由氢键自动组编 。 7.如申请专利范围第1至3项中任一项之有机EL发光 装置,其进一步包含壁结构,该壁结构具有一大致 上垂直于该高分枝状聚合体层之表面之侧面,其中 该高分枝状巨分子系藉由与该壁结构之交互作用, 与该侧面大致上平行排列。 8.如申请专利范围第7项之有机EL发光装置,其中该 壁结构之侧面系带有电荷,且该高分枝状巨分子系 以静电方式与该侧面交互作用。 9.如申请专利范围第7项之有机EL发光装置,其中该 壁结构之侧面系具有氢键性质,且该高分枝状巨分 子系与该侧面氢键结合。 10.如申请专利范围第1至3项中任一项之有机EL发光 装置,其中该高分枝状聚合体层系包含一第一高分 枝状聚合体层,其充作电子输送层或空穴输送层; 与一第二高分枝状聚合体层,其充作至少一个发光 层。 11.一种液晶显示器,其包含如申请专利范围第1至10 项中任一项之有机EL发光装置,与液晶面板,该面板 系用于接收从该有机EL发光装置发射之偏极光,及 控制该偏极光之透光率。 12.如申请专利范围第11项之液晶显示器,其中该有 机EL发光装置系包含壁结构,该壁结构具有一大致 上垂直于该高分枝状聚合体层之表面之侧面,该高 分枝状巨分子系藉由与该壁结构之交互作用,与该 侧面大致上平行排列, 该液晶面板系具有许多像素,及在该许多像素间之 黑色基质遮蔽间隔,且 形成该有机EL发光装置之壁结构,以相应于该液晶 面板之黑色基质。 13.一种制造有机EL发光装置之方法,该装置具有有 机EL发光层,及用以施加电压至该有机EL发光层之 电极,该有机EL发光装置会发射偏极光,此方法包括 以下步骤: (a)制备基材,该基材系具有于其主要平面上形成之 电极; (b)于该主要平面上形成壁结构,此壁结构系具有一 大致上垂直于该主要平面之侧面;及 (c)提供一包含高分枝状巨分子之材料于该主要平 面上,以形成包含高分枝状聚合体层之该有机EL发 光层,该高分枝状聚合体层系具有与该侧面大致上 平行排列之该高分枝状巨分子。 14.如申请专利范围第13项之方法,其中步骤(b)包括 使该侧面带电之步骤,且该高分枝状巨分子系藉由 与该侧面静电交互作用,而与该侧面大致上平行排 列。 15.如申请专利范围第14项之方法,其进一步包括提 供一包含其他高分枝状巨分子之材料,以静电方式 与先前之高分枝状巨分子交互作用之步骤。 16.如申请专利范围第13项之方法,其中步骤(b)包括 赋予氢键性质至该侧壁之步骤,且该高分枝状巨分 子系藉由与该侧面氢键结合,而与该侧壁大致上平 行排列。 17.如申请专利范围第16项之方法,其进一步包括提 供一包含其他高分枝状巨分子之材料,与先前之高 分枝状巨分子氢键结合之步骤。 图式简单说明: 图1为以图解方式说明高分枝状巨分子之结构与分 类之概念视图。 图2为于本发明中使用之高分枝状巨分子结构之图 解视图。 图3为图解视图,说明树枝状体世代数之概念。 图4A、4B及4C为本发明有机EL发光装置实例之图解 横截面图。 图5A与5B为由高度单轴对准高分枝状聚合体层所组 成有机EL发光层实例之图解视图。 图6A至6D为图解视图,以实例说明一种形成高度单 轴对准高分枝状聚合体层之程序。 图7A至7E为图解视图,以实例说明一种制造本发明 具体实施例之有机EL发光装置之方法。 图8A为本发明具体实施例之液晶显示器之图解横 截面图,而图8B为平面图,说明被包含在液晶显示器 中之有机EL发光装置壁结构之安置。 图9为说明化合物1及化合物3之合成反应式之图。 图10为说明化合物4、5及6之化学式之图。 |
