| 主权项 |
1.一种Ⅲ-Ⅴ族半导体之选择性蚀刻方法,包含: 提供一半导体基板,该半导体基板系至少包含有一 砷化铝镓层及一砷化镓层;及 湿蚀刻该砷化镓层,而用以蚀刻该砷化镓层之溶液 系包含有柠檬酸、双氧水及水,其中双氧水之体积 百分比系高于柠檬酸之体积百分比并且介于水之 体积百分比之0.2~0.3倍之间,以达到高选择性蚀刻 该砷化镓层。 2.如申请专利范围第1项所述之Ⅲ-Ⅴ族半导体之选 择性蚀刻方法,其中该蚀刻溶液分别对于该砷化镓 层与该砷化铝镓层之蚀刻选择性比値系高于100。 3.如申请专利范围第1项所述之Ⅲ-Ⅴ族半导体之选 择性蚀刻方法,其中该蚀刻溶液分别对于该砷化镓 层与该砷化铝镓层之蚀刻选择性比値系高于200。 4.如申请专利范围第1项所述之Ⅲ-Ⅴ族半导体之选 择性蚀刻方法,其中该砷化铝镓层之含铝量系不超 过30%。 5.如申请专利范围第1项所述之Ⅲ-Ⅴ族半导体之选 择性蚀刻方法,其中该蚀刻溶液之柠檬酸之体积百 分比系不高于水之体积百分比之0.02倍。 6.如申请专利范围第1项所述之Ⅲ-Ⅴ族半导体之选 择性蚀刻方法,其中该蚀刻溶液之柠檬酸之体积百 分比系不高于水之体积百分比之0.01倍。 7.如申请专利范围第1项所述之Ⅲ-Ⅴ族半导体之选 择性蚀刻方法,其中该蚀刻溶液对该砷化镓层之蚀 刻速率系不超过50/sec。 8.一种Ⅲ-Ⅴ族半导体之选择性蚀刻溶液,包含有柠 檬酸、双氧水及水,其中双氧水之体积百分比系高 于柠檬酸之体积百分比并且介于水之体积百分比 之0.2~0.3倍之间,以达到高选择性蚀刻一砷化镓层 。 9.如申请专利范围第8项所述之Ⅲ-Ⅴ族半导体之选 择性蚀刻溶液,其中该蚀刻溶液分别对于该砷化镓 层与该砷化铝镓层之蚀刻选择性比値系高于100。 10.如申请专利范围第8项所述之Ⅲ-Ⅴ族半导体之 选择性蚀刻溶液,其中该蚀刻溶液分别对于该砷化 镓层与该砷化铝镓层之蚀刻选择性比値系高于200 。 11.如申请专利范围第8项所述之Ⅲ-Ⅴ族半导体之 选择性蚀刻溶液,其中该蚀刻溶液之柠檬酸之体积 百分比系不高于水之体积百分比之0.02倍。 12.如申请专利范围第8项所述之Ⅲ-Ⅴ族半导体之 选择性蚀刻溶液,其中该蚀刻溶液之柠檬酸之体积 百分比系不高于水之体积百分比之0.01倍。 13.如申请专利范围第8项所述之Ⅲ-Ⅴ族半导体之 选择性蚀刻溶液,其中该蚀刻溶液对该砷化镓层系 具有不超过50/sec之蚀刻速率。 图式简单说明: 第1图:依据本发明之Ⅲ-Ⅴ族半导体之选择性蚀刻 方法,所提供之半导体基板截面图; 第2图:该半导体基板以习知蚀刻溶液随着水含量 变化之蚀刻速率对照图; 第3图:依据本发明之Ⅲ-Ⅴ族半导体之选择性蚀刻 方法,在第一具体实施例中随着双氧水含量变化之 蚀刻速率对照图; 第4图:依据本发明之Ⅲ-Ⅴ族半导体之选择性蚀刻 方法,在第一具体实施例中随着双氧水含量变化之 对于砷化镓层与砷化铝镓层之蚀刻选择性比値对 照图,其插图为PHEMT基板利用在第一具体实施例中 有最高选择性比例溶液在10分钟蚀刻后使用扫瞄 式电子显微镜拍摄之表面图; 第5图:依据本发明之Ⅲ-Ⅴ族半导体之选择性蚀刻 方法,在第二具体实施例中随着双氧水含量变化之 蚀刻速率对照图与蚀刻选择性比値对照图; 第6图:依据本发明之Ⅲ-Ⅴ族半导体之选择性蚀刻 方法,在第二具体实施例中随着蚀刻时间之蚀刻深 度对照图;及 第7图:依据本发明之Ⅲ-Ⅴ族半导体之选择性蚀刻 方法,在第二具体实施例中随着蚀刻时间之常态电 流对照图,其插图为PHEMT基板在50分钟蚀刻后在第 二具体实施例中有最高选择性比例溶液在利用扫 瞄式电子显微镜拍摄之表面图(a)有使用光阻当遮 罩(已去除)(b)未使用光阻当遮罩。 |
