| 主权项 |
1.一种阻气性薄膜,其系为含有由热塑性树脂薄膜 所成的基材层与由烷氧化矽之水解物、层状矽酸 盐及聚乙烯醇系树脂所成的阻气层之积层体,其中 阻气层藉由光散射测定的散射体之回转半径(Rg)为 2.4m以下,且在该阻气层中所存在的层状矽酸盐 之层间存在有烷氧化矽及/或其水解物。 2.如申请专利范围第1项之阻气性薄膜,其中藉由小 角X线散射测定的阻气层中垂直于薄膜面之方向的 区域间距离dND为6.8nm以下。 3.如申请专利范围第1或2项之阻气性薄膜,其中对 100重量份聚乙烯醇系树脂而言,来自烷氧化矽之矽 量以SiO2换算为90~500重量份,层状矽酸盐以10~150重 量份之比例存在于阻气层中。 4.如申请专利范围第1或2项之阻气性薄膜,其中阻 气层更含有聚环氧乙烷。 5.如申请专利范围第4项之阻气性薄膜,其中对100重 量份聚乙烯醇系树脂而言,来自烷氧化矽之矽以SiO 2换算为90~500重量份,层状矽酸盐以10~150重量份、 聚环氧乙烷以0.1~5重量份之比例存在于阻气层中 。 6.如申请专利范围第1或2项之阻气性薄膜,其中阻 气层经由增黏涂层而与基材层积层。 7.如申请专利范围第1或2项之阻气性薄膜,其中在 阻气层的基材层之积层面及反面上设置比构成该 基材层之热塑性树脂的熔点较低的热塑性树脂所 成之密封层。 8.一种阻气性被覆剂,其包含烷氧化矽之水解物、 层状矽酸盐及聚乙烯醇系树脂,其系由在pH値调整 成1~5之聚乙烯醇系树脂的水性溶液中分散有层状 矽酸盐的存在下,由烷氧化矽之部分或全部经水解 而制得的水性溶液所形成。 9.如申请专利范围第8项之阻气性被覆剂,其中对100 重量份聚乙烯醇系树脂而言,含有来自烷氧化矽的 矽以SiO2换算为90~500重量份,层状矽酸盐之含量比 例为10~150重量份。 10.如申请专利范围第8项之阻气性被覆剂,其为由 另于烷氧化矽之水解前或后添加聚环氧乙烷所得 的水性溶液所形成。 11.如申请专利范围第10项之阻气性被覆剂,其中对 100重量份聚乙烯醇系树脂而言,含有来自烷氧化矽 之矽以SiO2换算为90~500重量份,层状矽酸盐为10~150 重量份,聚环氧乙烷为0.1~5重量份。 12.如申请专利范围第8至11项中任一项之阻气性被 覆剂,其中藉由离子交换法调整pH値。 13.一种制造阻气性薄膜之方法,其系为制造如申请 专利范围第1或2项之阻气性薄膜的方法,其中使如 申请专利范围第12项之阻气性被覆剂被覆于由热 塑性树脂薄膜所成的基材层,予以乾燥,形成阻气 层。 14.如申请专利范围第13项之制造阻气性薄膜之方 法,其中在形成阻气层后,于温度30~80℃、相对湿度 30%RH~100%RH气氛下进行蚀刻处理。 15.一种制造阻气性被覆剂之方法,其系为制造如申 请专利范围第8项之阻气性被覆剂的方法,其中在pH 値调整为1~5之聚乙烯醇系树脂的水性溶液中分散 有层状矽酸盐存在下,使烷氧化矽的部分或全部被 水解。 16.如申请专利范围第15项之制造阻气性被覆剂之 方法,其中制得对100重量份聚乙烯醇系树脂而言, 含有来自烷氧化矽之矽以SiO2换算为90~ 500重量份, 层状矽酸盐为10~150重量份之比例的阻气性被覆剂 。 17.如申请专利范围第15项之制造阻气性被覆剂之 方法,其为由另于烷氧化矽之水解前或后添加聚环 氧乙烷所得的水性溶液所形成。 18.如申请专利范围第17项之制造阻气性被覆剂之 方法,其中对100重量份聚乙烯醇系树脂而言,含有 来自烷氧化矽之矽以SiO2换算为90~500重量份,层状 矽酸盐为10~150重量份,聚环氧乙烷为0.1~5重量份。 19.如申请专利范围第15至18项中任一项之制造阻气 性被覆剂之方法,其中藉由离子交换法使分散层状 矽酸盐所成的聚乙烯醇系树脂之水性溶液的pH値 调整为1~5后,使该水性溶液与烷氧化矽混合,使烷 氧化矽之部分或全部被水解。 图式简单说明: 第1图系表示有关实施例1所得阻气性薄膜之阻气 层构造的藉由FE-TEM分析结果图。 第2图系表示有关本发明实施例1所得阻气性薄膜 之阻气层的层状矽酸盐构造藉由EDS分析结果图。 |
