主权项 |
1.一种半导体热制程之晶圆承座校正工具,包含二组构成元件相同之一第一组量测直尺与一第二组量测直尺,其中每一组之量测直尺系包含:一直尺,其二侧设有刻度,且中间设有一长型槽孔;以及二滑动条,每一滑动条系为一钜型块与其往下延伸具有凸缘之一柱体所构成之T型结构,该二滑动条系以该柱体之凸缘分别朝向该长型槽孔之二端以装设于该长型槽孔内,利用该滑动条在该长型槽孔上之位移以标定通过一待测物之最大径値位置。2.如申请专利范围第1项所述之半导体热制程之晶圆承座校正工具,其中以该第一组量测直尺标定该待测物之最大径値位置后,再以该第二组量测直尺垂直横跨于该第一组量测直尺上,同样标定出该待测物之最大径値位置,则该第一组量测直尺与该第二组量测直尺所包含之该长型槽孔交点处即为所求该待测物之中心点。3.如申请专利范围第1项所述之半导体热制程之晶圆承座校正工具,其中该第一组量测直尺系更包含二第一垫块以支撑该第一组量测直尺,该第一垫块下端系设有一贯穿之凹槽,当待测物表面设有一垫圈时,该凹槽恰可容置该垫圈,以保持该量测直尺量测时之平坦。4.如申请专利范围第3项所述之半导体热制程之晶圆承座校正工具,其中该第二组量测直尺系更包含二第二垫块以支撑该第二组量测直尺,该第二垫块下端设有一贯穿之凹槽,当待测物表面设有一垫圈时,该凹槽恰可容置该垫圈,以保持该量测直尺量测时之平坦,且该第二垫块之高度系比该第一垫块的高度加上该第一组量测直尺之高度略高,以避免该第一组量测直尺与该第二组量测直尺在移动时造成摩擦。5.如申请专利范围第1项所述之半导体热制程之晶圆承座校正工具,其中该柱体系可为角柱。6.如申请专利范围第1项所述之半导体热制程之晶圆承座校正工具,其中该待测物系可为圆形。7.如申请专利范围第1项所述之半导体热制程之晶圆承座校正工具,其中该待测物系可为矩形。图式简单说明:第1图为本创作之结构示意图。第2图为本创作所包含之量测直尺结构示意图。第3图为本创作所包含之量测直尺结构分解示意图。第4A图为本创作之结构俯视图。第4B图为本创作之结构剖面图。 |