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发明名称 Method for forming a gate electrode and forming a semiconductor device having the gate electrode and method for oxidation of substrate
摘要
申请公布号 KR100472745(B1) 申请公布日期 2005.03.11
申请号 KR20020066804 申请日期 2002.10.31
申请人 发明人
分类号 H01L21/336;H01L21/28;H01L21/60;H01L21/768;(IPC1-7):H01L21/336 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
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