| 发明名称 |
METHOD FOR SIMULTANEOUSLY FORMING A BURIED LAYER AND SURFACE CONNECTION IN SEMICONDUCTOR DEVICES |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
US3479233(A) |
申请公布日期 |
1969.11.18 |
| 申请号 |
USD3479233 |
申请日期 |
1967.01.16 |
| 申请人 |
INTERN. BUSINESS MACHINES CORP. |
发明人 |
ROBERT H.F. LLOYD |
| 分类号 |
H01L21/00;H01L21/22;H01L21/74;H01L29/08;(IPC1-7):H01L7/36 |
主分类号 |
H01L21/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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