发明名称 PROCEDE DE DEPOT D'UNE COUCHE AMORPHE CONTENANT MAJORITAIREMENT DU FLUOR ET DU CARBONE ET DISPOSITIF CONVENANT A SA MISE EN OEUVRE
摘要 <p><P>L'invention a pour objet un procédé de dépôt sous vide d'une couche amorphe contenant majoritairement du fluor et du carbone sur un substrat (9), caractérisé en ce qu'il comporte l'étape de dépôt de cette couche au moyen d'un canon à ions (1) propre à éjecter des ions sous forme d'un faisceau d'ions accélérés créé à partir d'au moins un composé contenant du fluor et du carbone sous forme gazeuse ou de vapeur saturante alimentant le canon à ions.Un tel procédé permet notamment d'améliorer l'adhérence d'une couche extérieure à bas indice de réfraction sur la couche sous-jacente d'un empilement anti-reflets.L'invention a également trait à un dispositif convenant à la mise en oeuvre de ce procédé.</P></p>
申请公布号 FR2859487(A1) 申请公布日期 2005.03.11
申请号 FR20030011238 申请日期 2003.09.25
申请人 ESSILOR INTERNATIONAL - COMPAGNIE GENERALE D'OPTIQUE 发明人 SCHERER KARIN;LACAN PASCALE;BOSMANS RICHARD
分类号 C03C17/32;C03C17/34;C03C17/42;C23C14/06;C23C14/22;(IPC1-7):C23C14/30;C23C14/12;C23C14/56;C01B7/20 主分类号 C03C17/32
代理机构 代理人
主权项
地址