Polysiliziumleitung mit einem Metallsilizidgebiet, das eine Linienbreitenreduzierung ermöglicht

摘要

Indem die Gateelektrode während des Prozessablaufes zur Herstellung von Metallsilizidgebieten in dem Drain- und dem Source eines Feldeffekttransistors bedeckt gehalten wird, kann ein geeignetes Metallsilizid auf der Gateelektrode hergestellt werden, das den Erfordernissen für eine aggressive Größenreduzierung der Gatelänge entspricht. Vorzugsweise wird ein Nickelsilizid auf der Gateelektrode gebildet, wohingegen die Drain- und Sourcegebiete das gut etablierte Kobaltdisilizid erhalten. Zusätzlich wird das Gateelektrodendotierprofil wirksamer Weise von dem Dotierprofil des Drain- und Sourcegebiets entkoppelt.