发明名称 TEST MODE CIRCUIT CAPABLE OF TESTING MEMORY CELLS WITH VARIOUS TEST MODES WITHOUT ADDITION OF SELECTING CIRCUIT BY ELECTRICALLY STORING TEST BIT OF MEMORY CELLS ON CAM(CONTENT ADDRESSABLE MEMORY) CELL AND TESTING THE MEMORY CELLS ACCORDING TO STORED TEST BIT
摘要
申请公布号 KR100477916(B1) 申请公布日期 2005.03.10
申请号 KR19970081092 申请日期 1997.12.31
申请人 HYNIX SEMICONDUCTOR INC. 发明人 PARK, HYEONG RAE
分类号 G11C29/00;(IPC1-7):G11C29/00 主分类号 G11C29/00
代理机构 代理人
主权项
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