| 发明名称 | 过电流保护元件 | ||
| 摘要 | 本发明揭示一种过电流保护元件，包含：一第一电极层、一第二电极层、及一叠设于该第一电极层与第二电极层之间的高分子电流感测层；所述高分子电流感测层包含重量百分比介于2％至4％之间的硅酸盐片，该硅酸盐片是一种厚度介于0.7至1.3nm的纳米材料，且直径介于100至500nm之间。本发明的过电流保护元件具有绝佳的阻燃特性，因而可供高电压场合使用。 | ||
| 申请公布号 | CN1591706A | 申请公布日期 | 2005.03.09 |
| 申请号 | CN03156693.6 | 申请日期 | 2003.09.05 |
| 申请人 | 聚鼎科技股份有限公司 | 发明人 | 马云晋;蔡东成 |
| 分类号 | H01C7/13;H01C7/02 | 主分类号 | H01C7/13 |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 李树明 |
| 主权项 | 1.一种过电流保护元件，包含：一第一电极层；一第二电极层；及一叠设于该第一电极层与第二电极层之间的高分子电流感测层；其特征在于：所述高分子电流感测层包含重量百分比介于2％至4％之间的硅酸盐片，该硅酸盐片的厚度介于0.7至1.3nm，且直径介于100至500nm之间。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市 | ||