| 发明名称 | 蚀刻方法、蚀刻装置以及半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明为了能够通过湿蚀刻确实地除去包含金属及硅的化合物，例如含有金属铪的硅酸盐(101a)，在将硅酸盐(101a)氧化后，对被氧化的硅酸盐(101a)进行湿蚀刻。 | ||
| 申请公布号 | CN1592956A | 申请公布日期 | 2005.03.09 |
| 申请号 | CN03800972.2 | 申请日期 | 2003.06.05 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 藤井真治 |
| 分类号 | H01L21/306;C23F1/30 | 主分类号 | H01L21/306 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1、一种蚀刻方法，其特征在于：包括氧化至少包含金属及硅的化合物的第1工序、及通过湿蚀刻除去被氧化的前述化合物的第2工序。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||