| 发明名称 | 具有多样的金属硅化物的半导体元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种具有多样的金属硅化物的半导体元件及其制造方法。该半导体元件包括一个半导体基底，一个位于基底的第一区的第一金属硅化物，以及一个位于基底的第二区的第二金属硅化物。其中，第一金属硅化物不同于第二金属硅化物。此外，第一金属硅化物和第二金属硅化物可以是一个合金金属硅化物。本发明能够在同一芯片不同型式的晶体管上形成具有不同功函数的金属硅化物，因而能够得到可靠的接触状况，并能解决现有技术的缺点。 | ||
| 申请公布号 | CN1591868A | 申请公布日期 | 2005.03.09 |
| 申请号 | CN200410057340.4 | 申请日期 | 2004.08.27 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 林俊杰;李文钦;杨育佳;林全益;胡正明 |
| 分类号 | H01L27/092;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/8238;H01L21/3205;H01L21/768;H01L21/28 | 主分类号 | H01L27/092 |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人 | 刘新宇 |
| 主权项 | 1.一种具有多样的金属硅化物的半导体元件，其特征在于，该半导体元件包括：一个半导体基底；一个第一金属硅化物，位于该半导体基底的第一主动区；以及一个第二金属硅化物，位于该半导体基底的第二主动区，其中该第一金属硅化物不同于该第二金属硅化物，且该第一金属硅化物和该第二金属硅化物中的至少一个是合金金属硅化物。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 | ||