半导体器件的制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件的制造方法。利用过氧化氢溶液氧化通过CMP工序在半导体衬底1上形成铜布线6之际所产生的残留物及布线间桥梁9而成为氧化铜以后，再利用草酸溶液溶解并除去氧化铜。这样一来，就可在不损伤铜布线6主体的情况下，除去残留异物及布线间桥梁9。结果是，进行完化学机械研磨之后，不会在铜布线的表面产生凹状缺陷，确实能除去由铜形成的布线间桥梁等污染物，制造出无短路、无断线的半导体器件。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，包括：化学机械研磨形成在半导体衬底上、由铜形成的金属膜，而在所述半导体衬底上形成由所述金属膜构成的布线的布线工序，和除去在所述布线工序中产生且残留在所述半导体衬底上、使相邻的所述布线间产生无用的导通的布线间桥梁的清洗工序，其特征在于：所述清洗工序，包括：用过氧化氢溶液氧化所述布线间桥梁，使其为氧化铜的氧化工序；以及用草酸溶解并除去所述氧化铜的氧化物除去工序。