| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 一种半导体装置，电容元件(15)具有：表面形成凹部(11a)的基底绝缘层(11)，在基底绝缘层(11)上沿着凹部(11a)的内壁形成的下部电极(12)，在该下部电极(12)上形成的、由高电介体或铁电体构成的电容绝缘膜(13)，在该电容绝缘膜(13)上形成的上部电极(14)。将基底绝缘层(11)的凹部(11a)中的壁面的上端部及该凹部(11a)中的底面的拐角部弄成圆形。能够防止起因于对具有立体形状的电容元件进行热处理时的电极的断线。 | ||
| 申请公布号 | CN1591876A | 申请公布日期 | 2005.03.09 |
| 申请号 | CN200410074831.X | 申请日期 | 2004.08.30 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 后藤觉;长野能久 |
| 分类号 | H01L27/108 | 主分类号 | H01L27/108 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1、一种半导体装置，其特征在于，包括：具有绝缘性，表面形成凹部的基底层；在所述基底层上，沿着所述凹部的内壁形成的下部电极；在所述下部电极上形成，由用热处理结晶化的铁电体或高电介体构成的电容绝缘膜；以及在所述电容绝缘膜上形成的上部电极，所述下部电极及上部电极，由在所述电容绝缘膜的热处理时产生收缩应力的材料构成，所述基底层的所述凹部中的壁面的上端部及所述凹部中的底面的拐角部被弄圆。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||