| 发明名称 | 用于增加可用平面表面积的半导体晶片处理方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种用于增加具有大致平坦表面而且其厚度方向与所述大致平坦表面成直角的半导体晶片的可用表面积的方法。该方法包括步骤：选择带厚度，以将晶片分割为多个带；选择一种用于与大致平坦表面成某个角度，将晶片切割为带的技术，其中带厚度与通过进行切割所切掉的晶片的宽度之和小于晶片的厚度；利用选择的技术，将晶片切割为带；以及将所述带互相分离。 | ||
| 申请公布号 | CN1592952A | 申请公布日期 | 2005.03.09 |
| 申请号 | CN01821447.9 | 申请日期 | 2001.11.29 |
| 申请人 | 源太阳能股份有限公司 | 发明人 | 克劳斯·卓安纳斯·卫博;安卓·威康姆·布莱克斯 |
| 分类号 | H01L21/301;//B23K101∶40 | 主分类号 | H01L21/301 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 冯赓宣 |
| 主权项 | 1.一种用于增加具有大致平坦表面而且其厚度方向与所述大致平坦表面成直角的半导体晶片的可用表面积的方法，所述方法包括步骤：选择带厚度，以将晶片分割为多个带；选择一种用于与所述大致平坦表面成某个角度，将晶片切割为所述带的技术，其中带厚度与通过进行切割所切掉的晶片的宽度之和小于晶片的厚度；利用选择的技术，将晶片切割为带；以及将所述带互相分离。 | ||
| 地址 | 澳大利亚新南威尔士 | ||