发明名称 单片微波集成电路-波导射频过渡结构和相关方法
摘要 一种将波导传输线中传播的能量耦合成微带传输线中传播的能量的RF过渡结构。该结构包括含有单片微波集成电路基片、该基片正面上形成的金属涂层和反面上形成的微带,及端接在金属涂层上确定的膜片周围的金属涂层上,将在它自己中传播的能量转换成微带中传播的能量的波导。单片结构避免了用引线接合或带状焊接来连接分立基片,使得RF电路可以构造成适合在凹凸不平的、可延长的插件中,在较高RF频率下,与波导进行信号通信。
申请公布号 CN1192453C 申请公布日期 2005.03.09
申请号 CN00121929.4 申请日期 2000.07.25
申请人 波音公司 发明人 乔纳森·B·哈克;埃米利奥·A·索夫罗
分类号 H01P5/107 主分类号 H01P5/107
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 马莹
主权项 1.一种将在波导传输线中传播的能量耦合成在微带传输线中传播的能量的RF过渡结构,该过滤结构包括:微带结构,它包括单片微波集成电路(“MMIC”)基片、在MMIC基片的第一表面上形成的金属涂层和在相反的MMIC基片第二表面上形成的微带,其中,金属涂层确定窗孔,而微带包括在窗孔附近的微带馈送线;波导,它端接在窗孔周围的金属涂层上,从而将在波导中传播的能量转换成在微带中传播的能量;以及邻接MMIC基片的第二表面的空腔,所述空腔覆盖至少部分微带馈送线,其中所述波导和所述空腔的各部分延伸出MMIC基片的边缘并且接合在一起,以完成所述波导的端接。
地址 美国加利福尼亚州