| 发明名称 | 抵抗在钝化层形成裂纹的集成电路 | ||
| 摘要 | 在用蚀刻和镶嵌技术产生的集成电路，据推测，由于应力从互连金属层传递到围绕的介电材料(401)中的结果，使得在围绕集成在器件中的互连金属层(400)的介电材料中通常产生裂纹。本发明通过提供一种包括圆形转角的互连金属层来解决这一问题，这种圆形转角据信能够减少传递到围绕的介电层的应力。 | ||
| 申请公布号 | CN1592946A | 申请公布日期 | 2005.03.09 |
| 申请号 | CN02823247.X | 申请日期 | 2002.11.20 |
| 申请人 | 通用半导体公司 | 发明人 | 石甫渊;苏根政;约翰·E·阿马托 |
| 分类号 | H01L21/00 | 主分类号 | H01L21/00 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 钟强;谷慧敏 |
| 主权项 | 1.一种改进集成电路中钝化层的整体性的方法，该方法包括：识别集成电路，该集成电路包括：(a)基片，(b)构图的互连层，其具有至少一个形成在所述基片上的转角部分，和(c)形成在所述互连层的至少一个所述转角部分上的钝化层，所述钝化层呈现出在至少一个所述转角部分位置上的裂纹，以及修改构图的掩模层，其用于形成所述的构图互连层，使得用一个或多个曲线形转角部分来替代在呈现出裂纹的钝化层下面的一个或多个转角部分。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||