发明名称 自对准内埋接触对及其形成方法
摘要 一种自对准内埋接触(BC)对,包括:衬底,具有多个扩散区;氧化物层,露出形成在衬底上的扩散区对;位线,相邻的扩散区之间,并且位于氧化物层上,位线的每一个具有形成在其侧壁上的位线侧壁隔片;第一层间介质(ILD)层,在位线和氧化物层上形成;BC焊盘对,形成在相邻的位线之间并且在第一ILD层中,BC焊盘对的每一个与露出的衬底中的一个扩散区对准;以及一对电容器,BC焊盘对的每个具有形成在其上的一个电容器对,其中一对位线侧壁隔片与BC焊盘的每一个相邻并且位线侧壁隔片对具有对称形状。
申请公布号 CN1591821A 申请公布日期 2005.03.09
申请号 CN200410032182.7 申请日期 2004.04.01
申请人 三星电子株式会社 发明人 尹喆柱;赵昶贤;郑泰荣
分类号 H01L21/768 主分类号 H01L21/768
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人 谢丽娜;谷惠敏
主权项 1.一种子对准内埋接触对,包括:衬底,具有多个扩散区;氧化物层,形成在衬底上,其中氧化物层露出衬底上的多个扩散区对;多个位线,形成在氧化物层上,多个位线的每一个形成在衬底中的相邻的扩散区之间,并且多个位线的每一个具有形成在其侧壁上的位线侧壁隔片;第一层间介质层(ILD),在多个位线和氧化物层上形成;内埋接触焊盘对,形成在相邻的位线之间并且在第一ILD层中,内埋接触焊盘对的每一个与露出的衬底中的一个扩散区对准;以及一对电容器,内埋接触焊盘对的每个具有形成在其上的一个电容器对,其中一对位线侧壁隔片与内埋接触焊盘的每一个相邻并且位线侧壁隔片对具有对称形状。
地址 韩国京畿道